公开(公告)号：CN102800773A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210164736.3

申请日：2012-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相沇 ,  孙宗洛 ,  金起范 ,  李守烈 ,  金容一

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件包括：发光结构，包括第一和第二导电半导体层，有源层插置在第一和第二导电半导体层之间；第一和第二接合电极，分别连接到第一和第二导电半导体层；透明电极层，形成在第二导电半导体层上；多个纳米结构，形成在透明电极层上；以及钝化层，形成为覆盖多个纳米结构，其中透明电极层、多个纳米结构和钝化层的折射率可依次减小。