公开(公告)号：CN115700911A

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN202210429384.3

申请日：2022-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉呈 ,  金东奎 ,  金钟润 ,  黄贤瀞

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/18

Abstract: 提供了半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一基底；以及半导体器件，位于第一基底上，其中，第一基底包括：第一介电层，包括第一孔；第二介电层，位于第一介电层上，并且包括与第一孔叠置的第二孔，第二孔比第一孔宽；底凸块，设置在第一孔和第二孔中，底凸块覆第二介电层的一部分；以及连接构件，接合到底凸块。

公开(公告)号：CN115568096A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210712336.5

申请日：2022-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉呈 ,  金东奎 ,  金钟润 ,  李锡贤 ,  张在权

IPC: H05K1/18

Abstract: 一种半导体封装包括基板、以及提供在基板上的第一半导体器件和第二半导体器件。基板包括：第一电介质层和提供在第一电介质层上的第二电介质层；多条信号线，提供在第一电介质层和第二电介质层之间并将第一半导体器件连接到第二半导体器件；以及提供在第二电介质层上的导电焊盘和导电板。导电焊盘与第一半导体器件或第二半导体器件重叠。导电板与信号线重叠。

公开(公告)号：CN115719740A

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202210506562.8

申请日：2022-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉呈 ,  金东奎 ,  金钟润 ,  李锡贤

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体封装，包括：第一重分布衬底；下半导体芯片，在第一重分布衬底上，该下半导体芯片中包括通孔；第一下导电结构和第二下导电结构，在第一重分布衬底上并与下半导体芯片横向间隔开；上半导体芯片，在下半导体芯片和第二下导电结构上，该上半导体芯片耦接到通孔和第二下导电结构；以及上导电结构，在第一下导电结构上。第二下导电结构的宽度大于通孔的宽度。

公开(公告)号：CN114242708A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202110746649.8

申请日：2021-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 石敬林 ,  金京范 ,  金东奎 ,  金珉呈 ,  李锡贤

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 半导体封装包括重分布基板和在其上的半导体芯片。重分布基板包括：接地凸块下图案；信号凸块下图案，与接地凸块下图案横向地间隔开；第一信号线图案，设置在信号凸块下图案上并耦接到对应的信号凸块下图案；以及第一接地图案，耦接到接地凸块下图案并与第一信号线图案横向地间隔开。信号凸块下图案和接地凸块下图案中的每一个包括：第一部分；以及第二部分，形成在第一部分上并且比第一部分宽。接地凸块下图案的第二部分比信号凸块下图案的第二部分宽。接地凸块下图案与第一信号线图案在竖直方向上重叠。第一接地图案不与信号凸块下图案在竖直方向上重叠。