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公开(公告)号：CN116744673A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310252816.2
申请日：2023-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括衬底、衬底上的下电极、覆盖下电极的介电层、以及覆盖介电层的上电极。介电层包括与下电极接触的第一区域、与上电极接触的第二区域、以及在第一区域和第二区域之间的第三区域。第三区域包括第一插入层，第一插入层包括第一氧化物和第二氧化物，第一氧化物包括具有第一价的第一金属，第二氧化物包括具有第二价的第二金属，第二价与第一价不同。介电层的厚度为约#imgabs0#至约#imgabs1#第一插入层的厚度为约#imgabs2#至约#imgabs3#第二金属与介电层中的总元素的比率为约5at％至约15at％。
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