公开(公告)号：CN101236986A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810009221.X

申请日：2008-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权五谦 ,  金容燦 ,  吴埈锡 ,  金明希 ,  朴惠英

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/66568

Abstract: 本发明的一些实施例提供了高压晶体管以及制造所述高压晶体管的方法。所述高压晶体管包括：半导体基底；器件分隔膜，限定半导体基底中的有源区；栅电极，在半导体基底上沿有源区的中心的部分延伸并同时保持预定宽度；第二阱，在半导体基底中形成在栅电极的两侧，并部分地延伸到器件分隔膜的底表面。在半导体基底中的有源区包括：第一有源区，位于栅电极之下，并将器件分隔膜分开；第二有源区，由第一有源区和器件分隔膜限定。