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公开(公告)号：CN108075662B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201711133025.9
申请日：2017-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置以及过电流保护的设备。一种半导体装置包含：电感器，其选择性地连接到供电电压并且被配置成存储以及释放能量；第一晶体管，其连接在供电电压与电感器之间并且被配置成将供电电压提供给电感器；第二晶体管，其串联地连接到第一晶体管、连接在电感器与接地电压之间并且被配置成将接地电压提供给电感器；调制器，其被配置成将调制信号提供给控制电路，控制电路被配置成通过进行脉宽调制(PWM)来控制第一晶体管以及第二晶体管；电流传感器，其被配置成感测穿过第一晶体管的电流量并且基于所感测的电流量来生成第一输出信号；以及第一过电流保护输出生成器，其被配置成基于第一输出信号以及第一参考信号来生成第二输出信号。
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公开(公告)号：CN108075662A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711133025.9
申请日：2017-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置以及过电流保护的设备。一种半导体装置包含：电感器，其选择性地连接到供电电压并且被配置成存储以及释放能量；第一晶体管，其连接在供电电压与电感器之间并且被配置成将供电电压提供给电感器；第二晶体管，其串联地连接到第一晶体管、连接在电感器与接地电压之间并且被配置成将接地电压提供给电感器；调制器，其被配置成将调制信号提供给控制电路，控制电路被配置成通过进行脉宽调制(PWM)来控制第一晶体管以及第二晶体管；电流传感器，其被配置成感测穿过第一晶体管的电流量并且基于所感测的电流量来生成第一输出信号；以及第一过电流保护输出生成器，其被配置成基于第一输出信号以及第一参考信号来生成第二输出信号。
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