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公开(公告)号：CN115207120A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210150941.8
申请日：2022-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 提供一种能够提高电特性和集成密度的半导体器件。该半导体器件包括：有源图案，从衬底突出，该有源图案包括在第一方向上延伸且在第二方向上彼此相对的长侧壁；下外延图案，位于衬底上，并覆盖有源图案的一部分；栅电极，位于下外延图案上，并沿有源图案的长侧壁延伸；以及上外延图案，位于有源图案上，并连接至有源图案的上表面。有源图案包括与有源图案的长侧壁连接的短侧壁，并且有源图案的短侧壁中的至少一个具有弯曲表面。
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