公开(公告)号：CN1043694C

公开(公告)日：1999-06-16

申请号：CN93103554.6

申请日：1993-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐英豪 ,  金奭斌

IPC: G11C5/14

CPC classification number: G11C5/147

Abstract: 一种产生加到半导体存储器存储元件上的内源电压的电路，包括：基准电压发生电路，用以产生基准电压；比较器，用以比较内源电压与基准电压；激励器，用以在比较器的控制下将外源电压激励成内源电压；低基准电压发生电路，用以在外源电压低于基准电压时产生控制信号使激励器完全导通，从而所述低基准电压发生电路的控制信号防止激励器接收比较器的输出信号，以便将外源电压加到存储器的存储元件上。

公开(公告)号：CN1077048A

公开(公告)日：1993-10-06

申请号：CN93103554.6

申请日：1993-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐英豪 ,  金奭斌

IPC: G11C5/14

CPC classification number: G11C5/147

Abstract: 一种产生加到半导体存储器存储元件上的内源电压的电路，包括：基准电压发生电路，用以产生基准电压；比较器，用以比较内源电压与基准电压；激励器，用以在比较器的控制下将外源电压激励成内源电压；低基准电压发生电路，用以在外源电压低于基准电压时产生控制信号使激励器完全导通，从而所述低基准电压发生电路的控制信号防止激励器接收比较器的输出信号，以便将外源电压加到存储器的存储元件上。