公开(公告)号：CN1681040A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200410075897.0

申请日：2004-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴玩濬 ,  金泰完 ,  朴祥珍 ,  金大井 ,  李丞晙 ,  申炯淳

IPC: G11C11/15 ,  H01L27/10 ,  H01L43/00

CPC classification number: G11C7/14 ,  G11C7/062 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673

Abstract: 一种磁随机存取存储器(MRAM)以及从所述的MRAM中读取数据的方法，该磁随机存取存储器包括具有一个晶体管和一个磁隧道结(MTJ)层的存储单元和当读取存储在存储单元的数据时作为基准的参考单元，其中参考单元包括彼此并联连接的第一和第二MTJ层；和彼此并联连接的第一和第二晶体管，第一和第二晶体管分别串联到第一和第二MTJ层。所述的第一和第二晶体管也可以被一个具有对应于存储单元的晶体管两倍驱动能力的晶体管所代替。此外，第一和第二晶体管与第一和第二MTJ层的位置也可以互换。