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公开(公告)号：CN112038331A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010264584.9
申请日：2020-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/50 , G02F1/13357
Abstract: 提供了一种发光装置、背光单元和显示设备。所述发光装置包括：第一LED芯片，其发射峰波长在410至430nm的范围内的光；第二LED芯片，其发射峰波长在440至460nm的范围内的光；第一量子点，其将通过第一LED芯片和第二LED芯片发射的光转换为峰波长在510至550nm的范围内的光；以及第二量子点，其将通过第一LED芯片和第二LED芯片发射的光转换为峰波长在610至660nm的范围内的光，其中在最终的光的发射光谱中，第一LED芯片的峰波长的强度为第二LED芯片的峰波长的强度的15％或更少。
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公开(公告)号：CN103298908A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201180055466.6
申请日：2011-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , H01L33/502 , H05B33/10
Abstract: 根据本申请的一个实施例，磷光体具有下面的组成式（1）：[组成式1]Si(6-z)AlzOyN(8-z):Rex，其中，x、y和z分别为0.018≤x≤0.3、0.3≤y≤0.75、0.42≤z≤1.0，Re为稀土元素。因此，即使当铝浓度为0.42mol至1.0mol时，本申请的赛伦磷光体也表现出高亮度且具有在5μm至20μm之间变化的粒度D50。另外，根据本申请的一个实施例的制备磷光体的方法涉及对氧浓度进行调节以确保磷光体的优良的结晶性，因此提高其亮度。
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公开(公告)号：CN114695627A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111617495.9
申请日：2021-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种发光二极管(LED)模块，其被配置为发射白光。所述LED模块包括：蓝发光二极管，其被配置为发射第一峰波长为420nm至465nm的蓝光；至少一种波长转换材料，其被配置为将一部分所述蓝光转换为不同波长的转换后的光；以及近红外光源，其被配置为发射第二峰波长在740nm至900nm的范围内并且半峰全宽(FWHM)为120nm或更小的额外光。所述转换后的光、另一部分所述蓝光和所述额外光组合形成所述白光。
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公开(公告)号：CN117637965A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311097736.0
申请日：2023-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/50 , H01L25/075
Abstract: 一种发光装置包括：第一光发射器，其包括发射第一蓝光的第一发光芯片以及第一荧光体和第二荧光体中的至少一个，第一光发射器被配置为发射第二蓝光；以及第二光发射器，其包括发射第三蓝光的第二发光芯片和第三荧光体和第四荧光体中的至少一个，第二光发射器被配置为发射第四蓝光，其中，第四蓝光的峰值波长的强度与第二蓝光的峰值波长的强度的比率大于或等于0.6。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114688500A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111656441.3
申请日：2021-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F21V9/38 , H05B45/20 , H05B47/155 , F21Y115/10
Abstract: 一种LED照明设备，包括：LED光源，其被配置为发射具有第一黑视/明视(M/P)比的白光；调谐LED光源，其被配置为发射具有在465nm至495nm的范围内的峰值波长的调谐蓝光；以及驱动控制单元，其被配置为控制分别施加到LED光源和调谐LED光源的电流，以产生具有高于第一M/P比的第二M/P比的经调谐的白光。
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公开(公告)号：CN103476902A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201280018413.1
申请日：2012-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/7728 , C09K11/0883 , C09K11/7734
Abstract: 根据本发明一个实施例的荧光体具有如下组成式1：[组成式1]SrySi(6-z)AlzOzN(8-z):Rex，其中，x、y、z分别满足0.005≤x≤0.05、0.05≤y≤0.5、0.001≤z≤0.50，Re为稀土元素。因此在根据本发明一个实施例的荧光体中，当锶的浓度为0.05mol～0.5mol时，可表现出525nm～537nm的短波长。并且，当铝的浓度较高时，可通过添加0.003mol～0.125mol范围的钡而表现出525nm～537nm的短波长。而且，当铝的浓度较高时，可通过将AlN和Al2O3一并作为铝前驱体添加而调节氧浓度，从而表现出525nm～537nm的短波长。结果，由于根据本发明一个实施例的荧光体可表现出525nm～537nm的短波长，因此可防止色彩再现性减弱及显色指数降低。
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公开(公告)号：CN119069605A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410610132.X
申请日：2024-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/50
Abstract: 公开了一种发光装置和一种近红外荧光体。该发光装置包括：发光二极管芯片，其被配置为发射具有400nm至470nm的峰值波长的第一光；波长转换材料，其将第一光的一部分转换为具有620nm至670nm的峰值波长的第二光；以及近红外荧光体，其被配置为将第一光的一部分转换为具有740nm至820nm的峰值波长的第三光，其中，近红外荧光体包括由组成式CaAl(12‑x‑y)GayO19:xCr3+表示的荧光体，其中，x满足0.1≤x≤0.3并且y满足1或更大，并且第三光的发射光谱单独具有0.3或更小的690nm的强度相对于780nm的强度的比率。
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公开(公告)号：CN103298908B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180055466.6
申请日：2011-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , H01L33/502 , H05B33/10
Abstract: 根据本申请的一个实施例，磷光体具有下面的组成式（1）：[组成式1]Si(6-z)AlzOyN(8-z):Rex，其中，x、y和z分别为0.018≤x≤0.3、0.3≤y≤0.75、0.42≤z≤1.0，Re为稀土元素。因此，即使当铝浓度为0.42mol至1.0mol时，本申请的赛伦磷光体也表现出高亮度且具有在5μm至20μm之间变化的粒度D50。另外，根据本申请的一个实施例的制备磷光体的方法涉及对氧浓度进行调节以确保磷光体的优良的结晶性，因此提高其亮度。
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公开(公告)号：CN103476902B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280018413.1
申请日：2012-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/7728 , C09K11/0883 , C09K11/7734
Abstract: 根据本发明一个实施例的荧光体具有如下组成式1：[组成式1]SrySi(6-z)AlzOzN(8-z):Rex，其中，x、y、z分别满足0.005≤x≤0.05、0.05≤y≤0.5、0.001≤z≤0.50，Re为稀土元素。因此在根据本发明一个实施例的荧光体中，当锶的浓度为0.05mol～0.5mol时，可表现出525nm～537nm的短波长。并且，当铝的浓度较高时，可通过添加0.003mol～0.125mol范围的钡而表现出525nm～537nm的短波长。而且，当铝的浓度较高时，可通过将AlN和Al2O3一并作为铝前驱体添加而调节氧浓度，从而表现出525nm～537nm的短波长。结果，由于根据本发明一个实施例的荧光体可表现出525nm～537nm的短波长，因此可防止色彩再现性减弱及显色指数降低。
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