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发明公开
半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN117715412A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311097043.1

申请日：2023-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珍圭 , 朴钟英 , 高泰永 , 金基龙 , 金善斗 , 金宰铉

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源图案，所述第一有源图案位于衬底上，所述第一有源图案在相对于第一方向和第二方向具有锐角的第三方向上延伸，所述第一方向和所述第二方向与所述衬底的上表面基本上平行并且彼此基本上垂直；第一导电填充图案，所述第一导电填充图案位于所述第一有源图案的中部的上表面上，所述第一导电填充图案具有平行四边形的形状；栅极结构，所述栅极结构在所述第一有源图案的上部中在所述第一方向上延伸；以及位线结构，所述位线结构位于所述第一导电填充图案上并且在所述第二方向上延伸。

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