公开(公告)号：CN1707447B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200510075974.7

申请日：2005-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光日

IPC: G06F12/00 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C15/00

Abstract: 本发明公开了一种用于确定处理器所要求的数据是否保存在高速缓冲存储器中的高速缓存命中逻辑。高速缓存命中逻辑包括空单元串，其操作与用于读出保存在标记存储单元阵列中标记地址的读出放大器和用于确定所读出的标记地址是否与输入的标记地址一致的比较逻辑相同，还包括空读出放大器以及空比较逻辑。高速缓存命中逻辑提高了命中信号的可靠性，并且操作速度不受限制。

公开(公告)号：CN116057223A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202180062495.9

申请日：2021-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴峻弘 ,  金光日 ,  金宇振 ,  徐应烈

IPC: D06F58/20

Abstract: 根据本发明的干衣机包括：具有插入口和基座的柜体；可旋转地提供在柜体内部的滚筒；支撑架，包括前支撑架和后支撑架，前支撑架具有对应于插入口的待洗衣物插入口并且被提供为可旋转地支撑滚筒的前端，后支撑架提供为可旋转地支撑滚筒的后端；鼓风机，提供在前支撑架的下部以将外部空气引入到柜体中；以及引导部，提供在鼓风机的后部以连接到鼓风机，从而在滚筒和前支撑架之间提供外部空气，使得在滚筒和前支撑架之间泄漏的空气被干燥。

公开(公告)号：CN101114829A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710138603.8

申请日：2007-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光日 ,  蔡炅国

IPC: H03K17/72

CPC classification number: H03K17/164 ,  H01L27/0207

Abstract: 一种半导体器件可包括逻辑电路以及一个或多个功率选通晶体管开关。该逻辑电路可连接在电源电压和地电压之间，并可执行一个或多个逻辑运算。所述一个或多个功率选通晶体管开关可包括多个功率选通晶体管和多晶硅电阻器，并可根据该逻辑电路的激活模式、睡眠模式、或激活和睡眠模式，而切换电源电压向逻辑电路的施加。所述一个或多个功率选通晶体管开关可利用所述多晶硅电阻器而将电源电压顺序施加到该逻辑电路、顺序阻止电源电压向逻辑电路的施加、或将电源电压顺序施加到该逻辑电路并顺序阻止电源电压向逻辑电路的施加。

公开(公告)号：CN1707447A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510075974.7

申请日：2005-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光日

IPC: G06F12/00 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C15/00

Abstract: 本发明公开了一种用于确定处理器所要求的数据是否保存在高速缓冲存储器中的高速缓存命中逻辑。高速缓存命中逻辑包括空单元串，其操作与用于读出保存在标记存储单元阵列中标记地址的读出放大器和用于确定所读出的标记地址是否与输入的标记地址一致的比较逻辑相同，还包括空读出放大器以及空比较逻辑。高速缓存命中逻辑提高了命中信号的可靠性，并且操作速度不受限制。

公开(公告)号：CN1581359A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410055978.4

申请日：2004-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光日

IPC: G11C29/00

CPC classification number: H01L22/34 ,  G01R31/2621 ,  G01R31/27

Abstract: 本发明涉及一种可以使用漏电流的半导体测试设备和/或漏电流的补偿系统。根据本发明的范例性实施例，该半导体测试设备可以包括以与该半导体设备的MOS晶体管类似制造过程制造的多个MOS晶体管。该半导体测试设备可以检测到流经所述MOS晶体管的漏电流，可以测试该半导体设备是否是被正常制造，并可以生成作为结果的至少正常或非正常信号。漏电流补偿系统可以响应半导体测试设备的正常或非正常信号补偿流经该半导体设备的漏电流。根据本发明的范例性实施例，非正常制造的MOS晶体管可以被测试出，经过漏电流补偿系统可以降低该半导体设备的故障。