公开(公告)号：CN110189987B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201910119654.9

申请日：2019-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵根熙 ,  朴钟撤 ,  金俊胜 ,  朴胜周 ,  朴荣周 ,  李学善

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种用于形成精细图案的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成线图案和连接图案，该线图案沿第一方向延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开，该连接图案连接在第二方向上彼此相邻的线图案的部分；以及对连接图案执行离子束蚀刻工艺。该离子束蚀刻工艺在平行于由第一方向和垂直于半导体衬底的顶表面的第三方向限定的平面的入射方向上提供离子束，并且该离子束的入射方向不垂直于半导体衬底的顶表面。

公开(公告)号：CN110189987A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910119654.9

申请日：2019-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵根熙 ,  朴钟撤 ,  金俊胜 ,  朴胜周 ,  朴荣周 ,  李学善

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种用于形成精细图案的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成线图案和连接图案，该线图案沿第一方向延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开，该连接图案连接在第二方向上彼此相邻的线图案的部分；以及对连接图案执行离子束蚀刻工艺。该离子束蚀刻工艺在平行于由第一方向和垂直于半导体衬底的顶表面的第三方向限定的平面的入射方向上提供离子束，并且该离子束的入射方向不垂直于半导体衬底的顶表面。