公开(公告)号：CN1193419C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN01136425.4

申请日：2001-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亮亨 ,  姜孝千 ,  金德容

IPC: H01L21/66 ,  G01N23/225

CPC classification number: H01J37/268 ,  G01R31/307 ,  H01J2237/2817

Abstract: 本发明提供了用于检测半导体器件中的缺陷的方法和装置。所述半导体器件包含多个导电焊盘，例如可以形成在用于绝缘导电焊盘和导电焊盘之间的导线的绝缘层之间。在一些导电焊盘中、例如在导电焊盘的表面上积聚电子和/或空穴。积聚电子和/或空穴之后，基于从上述这些导电焊盘发射的次级电子，检测与一个导电焊盘相联系的差别。基于检测的差别确定缺陷的存在。

公开(公告)号：CN1355558A

公开(公告)日：2002-06-26

申请号：CN01136425.4

申请日：2001-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亮亨 ,  姜孝千 ,  金德容

IPC: H01L21/66 ,  G01N23/225

CPC classification number: H01J37/268 ,  G01R31/307 ,  H01J2237/2817

Abstract: 本发明提供了用于检测半导体器件中的缺陷的方法和装置。所述半导体器件包含多个导电焊盘,例如可以形成在用于绝缘导电焊盘和导电焊盘之间的导线的绝缘层之间。在一些导电焊盘中、例如在导电焊盘的表面上积聚电子和/或空穴。积聚电子和/或空穴之后,基于从上述这些导电焊盘发射的次级电子,检测与一个导电焊盘相联系的差别。基于检测的差别确定缺陷的存在。