公开(公告)号：CN111341752B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201911240528.5

申请日：2019-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔大渊 ,  郑载穆 ,  金恩珍 ,  权柒佑

IPC: H01L23/498 ,  H05K1/18

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有连接垫；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，设置在所述半导体芯片和所述包封剂上。所述连接结构包括：第一绝缘层；第一重新分布层，设置在所述第一绝缘层上；以及第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述第一重新分布层。所述第一重新分布层具有一个或更多个开口。所述开口分别具有包括多个突起的形状，并且B/A为1.5或更小，其中，A表示所述第一重新分布层的厚度，并且B表示所述第二绝缘层的覆盖所述第一重新分布层的区域的厚度。

公开(公告)号：CN117650115A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311129463.3

申请日：2023-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  朴钟淏 ,  吴常赫 ,  李在永 ,  郑载穆 ,  许洪瑞

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L23/373 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体封装可以包括第一再分布结构、在第一再分布结构上的第一半导体芯片、覆盖第一半导体芯片的第一模制层、在第一再分布结构上并在垂直方向上延伸同时穿过第一模制层的第一连接结构、在第一半导体芯片上的第二再分布结构、在第二再分布结构上的第二半导体芯片、以及在第二半导体芯片上的金属层。金属层可以与第二半导体芯片的上表面接触。

公开(公告)号：CN117524994A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310807708.7

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟淏 ,  姜圭浩 ,  朴成根 ,  裵晟训 ,  郑载穆 ,  崔朱逸

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开涉及一种半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：第一基板；在第一基板上的半导体芯片；与第一基板间隔开的第二基板；引线，与半导体芯片的侧表面间隔开并将第一基板连接到第二基板；模制结构，在半导体芯片的顶表面、半导体芯片的侧表面和引线的侧表面上；以及底部填充图案，在引线的侧表面上并且在引线和模制结构之间。

公开(公告)号：CN111341752A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201911240528.5

申请日：2019-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔大渊 ,  郑载穆 ,  金恩珍 ,  权柒佑

IPC: H01L23/498 ,  H05K1/18

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有连接垫；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，设置在所述半导体芯片和所述包封剂上。所述连接结构包括：第一绝缘层；第一重新分布层，设置在所述第一绝缘层上；以及第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述第一重新分布层。所述第一重新分布层具有一个或更多个开口。所述开口分别具有包括多个突起的形状，并且B/A为1.5或更小，其中，A表示所述第一重新分布层的厚度，并且B表示所述第二绝缘层的覆盖所述第一重新分布层的区域的厚度。