公开(公告)号：CN111952315A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010150059.4

申请日：2020-03-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛京准 ,  罗炫锡 ,  郑润圭 ,  李熙重 ,  洪昇完

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11582

Abstract: 示例实施例公开了一种垂直存储器件及其制造方法。所述器件可以包括多个栅电极和多个绝缘图案以及穿透第一栅电极和第一绝缘图案的沟道。所述器件可以具有包括从沟道的外侧壁顺序堆叠的隧道绝缘图案、电荷俘获图案和阻挡图案的电荷存储结构。所述器件可以具有被所述隧道绝缘图案和所述电荷俘获图案围绕的掩埋图案结构。所述电荷俘获图案可以包括在水平方向上具有第一厚度的第一垂直部分和在所述水平方向上具有第二厚度的第二垂直部分，并且所述第一厚度可以小于或等于所述第二厚度。

公开(公告)号：CN119907241A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202410914851.0

申请日：2024-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林根元 ,  权宁镐 ,  金青珍 ,  李贞浩 ,  郑润圭

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/20 ,  H10B41/40 ,  H10B43/30 ,  H10B43/20 ,  H10B43/40

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统。所述半导体器件可以包括：板层；栅电极，其在所述板层上沿与所述板层的上表面垂直的第一方向彼此间隔开、沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸至不同长度并形成台阶区域；沟道结构，其穿过所述栅电极、沿所述第一方向延伸且均包括沟道层；隔离区域，其穿过所述栅电极并沿所述第一方向和所述第二方向延伸；牺牲绝缘层，其分别在与所述栅电极的高度相同的高度上；贯穿通路，其穿过所述牺牲绝缘层并沿所述第一方向延伸；坝结构，其围绕所述贯穿通路；以及保护结构，其与所述坝结构水平地间隔开并在平面图上具有围绕所述坝结构的闭环形状。

公开(公告)号：CN118042837A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202310747760.8

申请日：2023-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佐燮 ,  金青珍 ,  金贤江 ,  石昭娟 ,  李贞浩 ,  郑润圭

IPC: H10B41/35

Abstract: 公开了半导体器件、包括该半导体器件的电子系统以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：源极结构，包括支撑源极层；栅极堆叠结构，在支撑源极层上；存储沟道结构，穿透栅极堆叠结构和支撑源极层；以及分离结构，穿透栅极堆叠结构和支撑源极层。支撑源极层包括：第一源极部，存储沟道结构穿透该第一源极部；以及第二源极部，分离结构穿透该第二源极部。第一源极部的顶表面处于比第二源极部的顶表面的水平低的水平处。