公开(公告)号：CN104778297B

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201510006948.2

申请日：2015-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑文奎

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提供了利用自对准双图案化工艺形成晶圆的图案的方法和布局设计方法。所述形成晶圆的图案的方法包括：准备具有第一设计图案、第二设计图案和设置在第一设计图案与第二设计图案之间的第三设计图案的初始布局；利用计算机从初始布局中提取包括第一设计图案的第一子布局和包括第二设计图案的第二子布局；利用计算机形成包括通过修改第一子布局的第一设计图案获得的第一修改的设计图案的第一修改的子布局；利用计算机产生包括第一修改的子布局和第二子布局的修改的布局；以及利用修改的布局执行双图案化工艺。

公开(公告)号：CN110879507B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201910293597.6

申请日：2019-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔南柯 ,  郑文奎

IPC: G03F1/36

Abstract: 公开了一种用于执行光学邻近校正(OPC)的方法和使用其制造掩模的方法。提供一种用于执行OPC的方法以及通过使用OPC制造掩模的方法，所述执行OPC的方法通过有效地反映掩模形貌效应或图案的边缘之间的耦合效应来提高掩模图像的精确度。用于执行OPC的方法包括：提取掩模上的图案的布局的边缘；提取边缘中相邻边缘之间的宽度等于或小于特定距离的边缘对；针对边缘对中的每一个边缘对产生耦合边缘；通过将边缘滤波器应用于边缘来产生第一掩模图像；通过将耦合滤波器应用于耦合边缘来校正第一掩模图像。

公开(公告)号：CN109216348B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201810697532.3

申请日：2018-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑文奎

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  G03F1/36 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法和产生光学邻近修正(OPC)模型的方法。制造半导体装置的方法包括：设计版图；执行OPC处理，以修正设计的版图；利用修正后的版图制造第一光掩膜；以及利用第一光掩膜在衬底上形成图案。OPC处理包括产生OPC模型和利用产生的OPC模型修正设计的版图。产生OPC模型的步骤包括：将实际图案的平面图像栅格化，以获得第一标签数据；将仿真图案的仿真图像栅格化，以获得第二标签数据，所述仿真图案是利用其中设置了包括工艺参数的参数集的OPC模型获得的；将第一标签数据与第二标签数据进行比较，以获得比较数据；以及基于比较数据修正参数集的工艺参数。

公开(公告)号：CN109216348A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810697532.3

申请日：2018-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑文奎

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  G03F1/36 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法和产生光学邻近修正(OPC)模型的方法。制造半导体装置的方法包括：设计版图；执行OPC处理，以修正设计的版图；利用修正后的版图制造第一光掩膜；以及利用第一光掩膜在衬底上形成图案。OPC处理包括产生OPC模型和利用产生的OPC模型修正设计的版图。产生OPC模型的步骤包括：将实际图案的平面图像栅格化，以获得第一标签数据；将仿真图案的仿真图像栅格化，以获得第二标签数据，所述仿真图案是利用其中设置了包括工艺参数的参数集的OPC模型获得的；将第一标签数据与第二标签数据进行比较，以获得比较数据；以及基于比较数据修正参数集的工艺参数。

公开(公告)号：CN110879507A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910293597.6

申请日：2019-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔南柯 ,  郑文奎

IPC: G03F1/36

Abstract: 公开了一种用于执行光学邻近校正(OPC)的方法和使用其制造掩模的方法。提供一种用于执行OPC的方法以及通过使用OPC制造掩模的方法，所述执行OPC的方法通过有效地反映掩模形貌效应或图案的边缘之间的耦合效应来提高掩模图像的精确度。用于执行OPC的方法包括：提取掩模上的图案的布局的边缘；提取边缘中相邻边缘之间的宽度等于或小于特定距离的边缘对；针对边缘对中的每一个边缘对产生耦合边缘；通过将边缘滤波器应用于边缘来产生第一掩模图像；通过将耦合滤波器应用于耦合边缘来校正第一掩模图像。

公开(公告)号：CN104778297A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510006948.2

申请日：2015-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑文奎

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提供了利用自对准双图案化工艺形成晶圆的图案的方法和布局设计方法。所述形成晶圆的图案的方法包括：准备具有第一设计图案、第二设计图案和设置在第一设计图案与第二设计图案之间的第三设计图案的初始布局；利用计算机从初始布局中提取包括第一设计图案的第一子布局和包括第二设计图案的第二子布局；利用计算机形成包括通过修改第一子布局的第一设计图案获得的第一修改的设计图案的第一修改的子布局；利用计算机产生包括第一修改的子布局和第二子布局的修改的布局；以及利用修改的布局执行双图案化工艺。