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公开(公告)号：CN116437662A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310037750.5
申请日：2023-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供半导体装置和数据存储系统。半导体装置包括第一半导体结构和第一半导体结构上的第二半导体结构。第二半导体结构包括具有第一区和第二区的衬底；栅电极，其在第一区上彼此间隔开、延伸不同长度、分别包括具有向上暴露的上表面的焊盘区；与栅电极交替地堆叠的层间绝缘层；穿透栅电极的沟道结构；穿透每个栅电极的焊盘区并延伸到第一半导体结构中的栅极接触插塞；以及在每个焊盘区下方与层间绝缘层交替并围绕栅极接触插塞的绝缘结构。绝缘结构包括第一绝缘层和第二绝缘层，第二绝缘层围绕第一绝缘层的至少一部分并且包括与第一绝缘层的任何材料不同的材料。
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