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发明公开
半导体存储器装置审中-公开

公开(公告)号：CN119997502A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411064249.9

申请日：2024-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金咏准 , 崔佳银 , 成祉勋 , 车奎炫

IPC: H10B12/00

Abstract: 半导体存储器装置可以包括：衬底，其包括单元区、外围区以及单元区和外围区之间的边界区；多个栅电极，多个栅电极在单元区的衬底内沿第一方向延伸；多条位线，多条位线在单元区和边界区的衬底上沿与第一方向交叉的第二方向延伸；多个埋置接触件，多个埋置接触件在单元区的衬底上连接到单元区的衬底并且位于栅电极之间以及位于位线之间；伪埋置接触件，其在边界区的衬底上位于位线之间；以及位线接触件，其在边界区的衬底上连接到位线中的至少一条，其中，伪埋置接触件包括绝缘材料。

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