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公开(公告)号：CN110390971A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910250910.8
申请日：2019-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置以及对非易失性存储器装置进行编程的方法。在对非易失性存储器装置进行编程的方法中，通过接地选择晶体管由源线的预充电电压对多个单元串的通道预充电。在第N个编程循环的验证读取时间段期间，将导通电压施加到多个单元串中的选择的单元串的选择的接地选择晶体管。在第N个编程循环的验证读取时间段完成之后，维持施加到选择的接地选择晶体管的导通电压而不恢复所述导通电压，以针对第(N+1)个编程循环对通道预充电。通过在验证读取操作完成之后，维持所述选择的接地选择线的导通电压而不恢复所述导通电压，以对单元串的通道预充电，降低了功耗并提高了操作速度。
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公开(公告)号：CN110390971B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201910250910.8
申请日：2019-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置以及对非易失性存储器装置进行编程的方法。在对非易失性存储器装置进行编程的方法中，通过接地选择晶体管由源线的预充电电压对多个单元串的通道预充电。在第N个编程循环的验证读取时间段期间，将导通电压施加到多个单元串中的选择的单元串的选择的接地选择晶体管。在第N个编程循环的验证读取时间段完成之后，维持施加到选择的接地选择晶体管的导通电压而不恢复所述导通电压，以针对第(N+1)个编程循环对通道预充电。通过在验证读取操作完成之后，维持所述选择的接地选择线的导通电压而不恢复所述导通电压，以对单元串的通道预充电，降低了功耗并提高了操作速度。
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