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公开(公告)号：CN116600568A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310070178.2
申请日：2023-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/20
Abstract: 一种竖直半导体装置包括绝缘图案、沟道结构、第一金属图案结构和第二金属图案。绝缘图案在竖直方向上彼此间隔开。每个绝缘图案在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸。沟道结构穿过绝缘图案。第一金属图案结构包括至少一种第一金属材料，并且在第一方向上延伸。第一金属图案结构位于竖直方向上的相邻绝缘图案之间的间隙中，并且第一金属图案结构位于间隙的中心部分处。第二金属图案包括与至少一种第一金属材料不同的金属材料，第二金属图案可在第一金属图案结构的相对侧壁上，以填充间隙的其余部分。
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