公开(公告)号：CN109841587A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201910278489.1

申请日：2016-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  金盛民 ,  赵治元

IPC: H01L23/485 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种具有接触塞的半导体装置。该半导体装置包括：第一鳍；第二鳍，紧邻第一鳍并且基本平行于第一鳍，第一鳍和第二鳍形成多鳍有源区；第一源/漏，位于第一鳍上；第二源/漏，位于第二鳍上；以及第一接触塞，位于第一源/漏上并且位于第二源/漏上，其中，第一接触塞的中心从多鳍有源区的中心偏移。

公开(公告)号：CN106067464B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201610206422.3

申请日：2016-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  金盛民 ,  赵治元

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置包括第一鳍有源区、基本上与第一鳍有源区平行的第二鳍有源区、位于第一鳍有源区中的第一源/漏区、位于第二鳍有源区中的第二源/漏区、位于第一源/漏区上的第一接触塞以及位于第二源/漏区上的第二接触塞。第二接触塞的中心从第二源/漏区的中心偏移。

公开(公告)号：CN109841587B

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201910278489.1

申请日：2016-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  金盛民 ,  赵治元

IPC: H01L23/485 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种具有接触塞的半导体装置。该半导体装置包括：第一鳍；第二鳍，紧邻第一鳍并且基本平行于第一鳍，第一鳍和第二鳍形成多鳍有源区；第一源/漏，位于第一鳍上；第二源/漏，位于第二鳍上；以及第一接触塞，位于第一源/漏上并且位于第二源/漏上，其中，第一接触塞的中心从多鳍有源区的中心偏移。

公开(公告)号：CN106067464A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610206422.3

申请日：2016-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  金盛民 ,  赵治元

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置包括第一鳍有源区、基本上与第一鳍有源区平行的第二鳍有源区、位于第一鳍有源区中的第一源/漏区、位于第二鳍有源区中的第二源/漏区、位于第一源/漏区上的第一接触塞以及位于第二源/漏区上的第二接触塞。第二接触塞的中心从第二源/漏区的中心偏移。