公开(公告)号：CN117479537A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310713782.2

申请日：2023-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许贤行 ,  金成勋 ,  孙在翼 ,  金胜渊

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B41/20 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20 ,  H01L27/02 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L23/00

Abstract: 公开了一种半导体芯片，包括：防护环，围绕半导体衬底的边缘；内部电路结构，形成在半导体衬底上并包括存储单元阵列区域和外围电路区域；以及裂纹检测电路，位于防护环和内部电路结构之间，并检测是否发生裂纹。该半导体芯片还包括第一倒角区域至第四倒角区域，该第一倒角区域至第四倒角区域根据焊盘的位置或内部电路结构的设计布置而具有不同的形状和尺寸。