公开(公告)号：CN102157380A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010623025.9

申请日：2010-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑会晟 ,  申东石 ,  金东赫 ,  许晶植 ,  金明宣

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  Y10S438/938

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括在半导体基底上形成栅电极并在所述栅电极上形成侧壁间隔件。然后，部分地蚀刻位于所述侧壁间隔件的两侧的所述半导体基底的一部分，以形成沟槽。在所述沟槽中形成SiGe混合的晶体层。在所述SiGe混合的晶体层上形成硅层。根据所述硅层的面的晶向，使用具有不同蚀刻速率的蚀刻溶液部分地蚀刻所述硅层的一部分，从而形成包括具有(111)倾斜面的硅面的覆盖层。

公开(公告)号：CN102157380B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201010623025.9

申请日：2010-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑会晟 ,  申东石 ,  金东赫 ,  许晶植 ,  金明宣

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  Y10S438/938

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括在半导体基底上形成栅电极并在所述栅电极上形成侧壁间隔件。然后，部分地蚀刻位于所述侧壁间隔件的两侧的所述半导体基底的一部分，以形成沟槽。在所述沟槽中形成SiGe混合的晶体层。在所述SiGe混合的晶体层上形成硅层。根据所述硅层的面的晶向，使用具有不同蚀刻速率的蚀刻溶液部分地蚀刻所述硅层的一部分，从而形成包括具有(111)倾斜面的硅面的覆盖层。

公开(公告)号：CN103187274B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201210587517.6

申请日：2012-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许晶植 ,  李来寅 ,  郑舜文

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66651

Abstract: 本发明公开一种形成半导体器件的方法，该方法可以包括：在基板的硅部分上形成金属层；金属层与硅部分反应以形成金属硅化物。在金属层发生反应之后，可以利用电解的硫酸溶液去除金属层的未反应的残余物。更具体地，在电解的硫酸溶液中硫酸的体积可以在电解的硫酸溶液的总体积的大约70%至大约95%范围内，电解的酸溶液中氧化剂的浓度可以在大约7g/L至大约25g/L的范围内，电解的硫酸溶液的温度可以在大约130℃至大约180℃的范围内。

公开(公告)号：CN103187274A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210587517.6

申请日：2012-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许晶植 ,  李来寅 ,  郑舜文

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66651

Abstract: 本发明公开一种形成半导体器件的方法，该方法可以包括：在基板的硅部分上形成金属层；金属层与硅部分反应以形成金属硅化物。在金属层发生反应之后，可以利用电解的硫酸溶液去除金属层的未反应的残余物。更具体地，在电解的硫酸溶液中硫酸的体积可以在电解的硫酸溶液的总体积的大约70%至大约95%范围内，电解的酸溶液中氧化剂的浓度可以在大约7g/L至大约25g/L的范围内，电解的硫酸溶液的温度可以在大约130℃至大约180℃的范围内。