公开(公告)号：CN1728278A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510077971.7

申请日：2005-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔硕奎 ,  金南钟 ,  裵壹万 ,  崔钟贤

IPC: G11C11/407 ,  G11C11/417 ,  G11C7/00 ,  G11C8/00 ,  H01L27/105

Abstract: 在一个示范性实施例中，快速电路路径包括根据半导体装置的操作模式可控地操作于慢速、低亚阈值漏泄电流模式或快速、高亚阈值漏泄电流模式的反相器链。非快速电路路径包括操作于减小的亚阈值漏泄电流模式下而与半导体装置的操作模式无关的反相器链。

公开(公告)号：CN1400654A

公开(公告)日：2003-03-05

申请号：CN02131526.4

申请日：2002-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵壹万 ,  金载勋 ,  李在鎣

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/00 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C7/20 ,  G11C11/4072

Abstract: 一种用于产生初始化信号的方法，该初始化信号能够防止由于施加外部电源引起的安装在半导体存储装置中的内部电路的初始不稳定运行。该方法包括步骤：(a)接收用于对半导体存储装置进行预充电的预充电指令；(b)根据所接收的预充电指令激活初始化信号达到第一电平；(c)在收到预充电指令后接收用于刷新半导体存储装置的刷新指令；(d)在收到刷新指令后接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令；以及(e)根据所接收的模式设置指令去激活初始化信号达到第二电平。

公开(公告)号：CN1287443C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN02131526.4

申请日：2002-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵壹万 ,  金载勋 ,  李在鎣

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/00 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C7/20 ,  G11C11/4072

Abstract: 一种用于产生初始化信号的方法，该初始化信号能够防止由于施加外部电源引起的安装在半导体存储装置中的内部电路的初始不稳定运行。该方法包括步骤：(a)接收用于对半导体存储装置进行预充电的预充电指令；(b)根据所接收的预充电指令激活初始化信号达到第一电平；(c)在收到预充电指令后接收用于刷新半导体存储装置的刷新指令；(d)在收到刷新指令后接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令；以及(e)根据所接收的模式设置指令去激活初始化信号达到第二电平。

公开(公告)号：CN1728278B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200510077971.7

申请日：2005-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔硕奎 ,  金南钟 ,  裵壹万 ,  崔钟贤

IPC: G11C11/407 ,  G11C11/417 ,  G11C7/00 ,  G11C8/00 ,  H01L27/105

Abstract: 在一个示范性实施例中，快速电路路径包括根据半导体装置的操作模式可控地操作于慢速、低亚阈值漏泄电流模式或快速、高亚阈值漏泄电流模式的反相器链。非快速电路路径包括操作于减小的亚阈值漏泄电流模式下而与半导体装置的操作模式无关的反相器链。

公开(公告)号：CN101256843A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810092059.2

申请日：2008-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵壹万

IPC: G11C29/42 ,  G11C7/10 ,  G06F11/10

CPC classification number: G11C16/22

Abstract: 提供了一种混合闪存装置、存储系统以及控制误差的方法。混合闪存装置包括：数据存储块，具有闪存单元的第一和第二数据存储区域；以及误差控制块，实现第一误差控制方案和第二误差控制方案，使得指向存储在第一数据存储区域的数据的数据存取操作选择第一误差控制方案，而指向存储在第二数据存储区域的数据的数据存取操作选择第二误差控制方案。