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发明公开
半导体存储器件及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN117015237A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310419987.X

申请日：2023-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙完基 , 姜敬奂 , 裵圣贤

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：衬底，在彼此交叉的第一方向和第二方向中的每个方向上延伸；以及存储图案，设置在衬底上，并且在第一方向和第二方向中的每个方向上彼此间隔开。每个存储图案在与由第一方向和第二方向限定的平面相交的第三方向上延伸，并且包括与存储接触当中的相应的存储接触相接触的面。每个存储图案的面具有沿着第一方向的第一宽度和沿着第二方向的第二宽度。存储图案的面的第一宽度在第一方向上相对于彼此增大，而相邻的存储图案之间的在第一方向上的间隔在第一方向上相对于彼此减小。

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