公开(公告)号：CN1975670B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200610063903.X

申请日：2006-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴志雄 ,  蔡殷锡 ,  朴信奎

IPC: G06F9/445

CPC classification number: G06F9/4401 ,  G06F8/65

Abstract: 本发明涉及一种利用具有随机存取(并行，例如NOR快闪类型)接口的串行(例如NAND类型)闪存阵列来引导微处理系统的方法和装置。所述方法包括根据所述微处理器的只读存储器(ROM)的例程，当开启电源时将存储在所述串行(例如NAND类型)闪存阵列中的引导代码装载程序装载到RAM；根据所述引导代码装载程序，将存储在所述串行闪存中的引导代码装载到所述微处理器的内部或外部(主)RAM中；根据所述引导代码，将存储在所述串行闪存中的应用代码装载到主(RAM)存储器中；以及执行所述应用代码。相比较基于NOR快闪的系统，所述系统以较低花费制造，并同时确保了微处理器的灵活性。

公开(公告)号：CN1975670A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610063903.X

申请日：2006-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴志雄 ,  蔡殷锡 ,  朴信奎

IPC: G06F9/445

CPC classification number: G06F9/4401 ,  G06F8/65

Abstract: 本发明涉及一种利用具有随机存取(并行，例如NOR快闪类型)接口的串行(例如NAND类型)闪存阵列来引导微处理系统的方法和装置。所述方法包括根据所述微处理器的只读存储器(ROM)的例程，当开启电源时将存储在所述串行(例如NAND类型)闪存阵列中的引导代码装载程序装载到RAM；根据所述引导代码装载程序，将存储在所述串行闪存中的引导代码装载到所述微处理器的内部或外部(主)RAM中；根据所述引导代码，将存储在所述串行闪存中的应用代码装载到主(RAM)存储器中；以及执行所述应用代码。相比较基于NOR快闪的系统，所述系统以较低花费制造，并同时确保了微处理器的灵活性。