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公开(公告)号:CN118695115A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410247871.7
申请日:2024-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种图像传感器和一种图像传感器的操作方法。该图像传感器包括:像素,其具有第一光电二极管和第二光电二极管、储存电容器、溢出晶体管以及读电路。像素被配置为:输出通过以第一转换增益转换在曝光时段中由第一光电二极管生成的电荷获得的第一子输出信号;输出通过以第二转换增益转换在曝光时段中由第一光电二极管生成的电荷获得的第二子输出信号;输出对应于第一子输出信号的第一复位信号和对应于第二子输出信号的第二复位信号;输出通过以第三转换增益转换在曝光时段中由第二光电二极管生成的电荷中的一部分获得的第三子输出信号;输出通过以第四转换增益转换在曝光时段中由第二光电二极管生成并且存储在储存电容器中的电荷获得的第四子输出信号;以及输出对应于第三子输出信号的第三复位信号和对应于第四子输出信号的第四重置信号。
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公开(公告)号:CN115379141A
公开(公告)日:2022-11-22
申请号:CN202210493010.8
申请日:2022-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括:第一层,包括具有沿多条行线和多条列线布置的多个像素的像素阵列区域;以及第二层,包括行驱动器,行驱动器选择多条行线中的至少一部分,生成驱动选择的行线的像素控制信号,并且将像素控制信号输出到控制信号线,其中,选择的行线在第一层的分支点处共享控制信号线,选择的行线从控制信号线共同接收像素控制信号,并且像素控制信号同时驱动选择的行线。
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公开(公告)号:CN118433565A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410126019.4
申请日:2024-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/772 , H04N25/771 , H04N25/779 , H04N25/46
Abstract: 提供了一种图像感测装置和包括图像感测装置的电子设备。在一些实施例中,所述图像感测装置包括像素阵列,包括电容器、读取电路和包含第一光电二极管和第二光电二极管的多个像素。图像感测装置还包括:驱动器,生成用于所述多个像素的控制信号;模数转换器(ADC)块,生成数字信号;以及控制器,控制驱动器和ADC块。所述多个像素中的至少一个顺序地输出通过转换累积在第一光电二极管中的电荷获得的第一子输出信号和第二子输出信号、通过转换累积在第二光电二极管中的电荷获得的第三子输出信号、通过转换存储在电容器中的第三电荷获得的第四子输出信号、与第四子输出信号对应的第一复位信号、以及与第三子输出信号对应的第二复位信号。
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公开(公告)号:CN117596502A
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN202310888405.2
申请日:2023-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/76 , H01L27/146 , H04N25/77 , H04N25/78 , H04N25/60
Abstract: 提供了一种图像传感器、一种相机模块和一种图像传感器的操作方法。该图像传感器包括具有多个像素的像素阵列以及行驱动器。每个像素包括光电二极管、光电二极管与浮置扩散节点之间的转移栅极晶体管、以及浮置扩散节点与被配置为接收第一电压的第一电压节点之间的第一晶体管。行驱动器通过行线与像素的行连接。对于行中的选择的行的每个像素,行驱动器被配置为将第二电压施加至第一晶体管的栅极,使得第一晶体管被导通并且浮置扩散节点被复位,并且导通转移栅极晶体管,使得在光电二极管中集成的电子被转储至浮置扩散节点。
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公开(公告)号:CN114727038A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202111657756.X
申请日:2021-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/374 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括其中布置有多个像素的像素阵列和用于控制多个像素的行驱动器。多个像素中的每一个包括第一光电二极管、具有比第一光电二极管大的光接收面积的第二光电二极管、其中存储由第一光电二极管生成的电荷的第一浮动扩散节点、连接到第一浮动扩散节点的第一电容器和一端与第一电容器串联的电容器控制晶体管。对于多个像素中的每一个,在第一光电二极管的读出周期期间,针对多个预设操作模式的每一个,行驱动器通过使用电容器控制晶体管来调整第一浮动扩散节点的电容。
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