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公开(公告)号:CN114430358A
公开(公告)日:2022-05-03
申请号:CN202111242651.8
申请日:2021-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了数据接收装置和相应的数据接收方法。所述数据接收装置包括:路径控制逻辑,所述路径控制逻辑配置为存储L个符号路径,其中,L为等于或大于2的自然数;L个反馈滤波器,所述L个反馈滤波器配置为分别计算所述L个符号路径的L个符号间干扰(ISI);L个运算器,所述L个运算器配置为从前馈均衡器的输出去除所述L个符号间干扰;以及路径度量计算器,所述路径度量计算器配置为接收所述L个运算器的输出并且计算所述L个符号路径中的每一个符号路径的路径度量,其中,所述路径控制逻辑还配置为在所述L个符号路径的所计算的路径度量之中选择L个值以更新所述L个符号路径。
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公开(公告)号:CN114726387A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202111417259.2
申请日:2021-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种接收多电平信号的接收器,包括补偿电路、采样电路、输出电路和模式选择器。补偿电路通过补偿输入数据信号上的符号间干扰来产生多个数据信号和多个参考电压。采样电路基于多个数据信号和多个参考电压产生多个采样信号。输出电路基于多个采样信号产生输出数据,并基于输出数据的先前值选择输出数据的当前值。模式选择器基于操作环境产生用于选择第一操作模式和第二操作模式之一的模式选择信号。补偿电路和采样电路在第一操作模式下被完全启用,且补偿电路和采样电路在第二操作模式下被部分启用。
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公开(公告)号:CN114792531A
公开(公告)日:2022-07-26
申请号:CN202210089173.X
申请日:2022-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/04
Abstract: 一种高带宽存储系统包括:主板以及耦接到所述主板的半导体封装件。所述半导体封装件包括:封装基板,所述封装基板安装在所述主板上并且包括提供通道的信号线;第一半导体装置,所述第一半导体装置安装在所述封装基板上并且包括第一物理层(PHY)电路;以及第二半导体装置,所述第二半导体装置安装在所述封装基板上并且包括第二PHY电路。所述第一半导体装置和所述第二半导体装置通过所述通道彼此交换数据信号,所述数据信号是具有M个电平的多电平信号,其中,M是大于2的自然数,并且第一PHY电路通过执行数字信号处理来补偿所述通道的失真并补偿所述通道之间的失配。
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公开(公告)号:CN114564146A
公开(公告)日:2022-05-31
申请号:CN202111297023.X
申请日:2021-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器件中包括的接收器包括标志生成器电路、均衡器电路和均衡控制器电路。标志生成器电路被配置为在正常操作模式期间在没有外部命令的情况下产生标志信号。均衡器电路被配置为在正常操作模式期间通过信道接收输入数据信号、通过基于均衡系数对输入数据信号进行均衡来产生均衡的信号、以及基于均衡的信号产生包括多个数据位的数据采样信号。均衡控制器电路被配置为在正常操作模式期间,基于标志信号、均衡的信号和数据采样信号确定均衡系数的变化量,并执行训练操作,在训练操作中,基于均衡系数的变化量来实时更新均衡系数。
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公开(公告)号:CN114627914A
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN202111445536.0
申请日:2021-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储器件及其数据输出方法。所述存储器件包括:存储单元阵列;数据选择器,所述数据选择器被配置为从所述存储单元阵列接收数据,并将所接收的数据输出为第一子数据和第二子数据;循环冗余校验(CRC)生成器,所述CRC生成器被配置为生成与所述第一子数据对应的第一CRC值,并生成与所述第二子数据对应的第二CRC值;CRC选择器,所述CRC选择器被配置为确定所述第一CRC值和所述第二CRC值的顺序,并根据所确定的顺序输出所述第一CRC值和所述第二CRC值;以及发送器,所述发送器被配置为根据所确定的顺序接收所述第一CRC值和所述第二CRC值,并通过多电平信令方法发送所排序的所述第一CRC值和所述第二CRC值。
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