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公开(公告)号：CN101126975A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710106576.6
申请日：2007-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 申顺均
IPC: G06F7/58
Abstract: 一种随机信号产生器电路，其包括：热噪声产生器电路；以及自偏反相器电路，其具有耦接到该热噪声产生器电路的输入，且该输入耦接到耦接于该自偏反相器电路的输出的反馈电阻，该自偏反相器电路配置来响应于该热噪声产生器电路所产生的热噪声在输出上产生感测的噪声信号。放大器电路耦接到该自偏反相器电路的输出，并配置来放大该感测的噪声信号，以产生饱和的随机信号。可以利用例如触发器对饱和随机信号取样，以产生随机二进制信号，其可以用于随机数产生。
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公开(公告)号：CN1909371A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610110033.7
申请日：2006-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 申顺均
IPC: H03K17/16 , H03K19/0175
CPC classification number: H03K17/166
Abstract: 一种输出驱动器，包括前置驱动器，用于分别在第一和第二节点产生第一和第二栅极控制信号。所述输出驱动器也包括主驱动器，用于根据所述第一和第二栅极控制信号产生输出信号。所述前置驱动器包括：电容器；和开关，它在输出信号的转换期间接通，以在输出节点与第一和第二节点之间形成相应电容性电流通路，用于保持所述输出信号的转换速率。
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公开(公告)号：CN101098126B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200710128884.9
申请日：2007-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03F3/16
Abstract: 一种调节的共源-共栅放大电路，包括第一导电类型的第一MOS晶体管，第一导电类型的第二MOS晶体管，第二导电类型的第三MOS晶体管，第一电流源和第二电流源。第一MOS晶体管耦合在输出节点和第一节点之间。具有用于接收偏置电压的栅极端的第二MOS晶体管耦合在第一节点和第二电源电压之间。第三MOS晶体管耦合在第一电源电压和第一MOS晶体管的栅极端之间。第一电流源耦合在第一MOS晶体管的栅极端和第二电源电压之间。第二电流源耦合在第一电源电压和输出节点之间。
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公开(公告)号：CN101098126A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710128884.9
申请日：2007-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03F3/16
Abstract: 一种调节的共源-共栅放大电路，包括第一导电类型的第一MOS晶体管，第一导电类型的第二MOS晶体管，第二导电类型的第三MOS晶体管，第一电流源和第二电流源。第一MOS晶体管耦合在输出节点和第一节点之间。具有用于接收偏置电压的栅极端的第二MOS晶体管耦合在第一节点和第二电源电压之间。第三MOS晶体管耦合在第一电源电压和第一MOS晶体管的栅极端之间。第一电流源耦合在第一MOS晶体管的栅极端和第二电源电压之间。第二电流源耦合在第一电源电压和输出节点之间。
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