公开(公告)号：CN118276413A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311560660.0

申请日：2023-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相焕 ,  金度亨 ,  朴珍洪 ,  申河喆 ,  洪成哲

IPC: G03F7/20

Abstract: 公开了掩模台和包括掩模台的极紫外曝光装置。该掩模台包括：主体；在主体的下表面上的支撑件，支撑件包括可附接的极紫外掩模；基准标记，在主体的下表面上并与支撑件间隔开；以及包括多个测量传感器的传感器区域，所述多个测量传感器配置为测量入射在主体上的极紫外光的一部分的能量，其中传感器区域在主体的下表面上并在极紫外光的扫描方向上与支撑件间隔开，所述多个测量传感器在垂直于扫描方向的方向上彼此间隔开。

公开(公告)号：CN118068652A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311154911.5

申请日：2023-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申河喆 ,  金度亨 ,  朴柱温 ,  李相焕 ,  洪成哲

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/24 ,  G03F1/72

Abstract: 提供了能够有效地校正极紫外(EUV)曝光工艺中的套准误差的EUV套准校正方法和包括该EUV套准校正方法的制造半导体装置的方法。所述EUV套准校正方法包括：通过使用掩模执行EUV曝光工艺，在晶圆上形成第一光致抗蚀剂(PR)图案；检查第一PR图案的EUV套准，并且获得第一套准参数的第一套准，在第一套准参数中，套准在与扫描方向垂直的第一方向上离开第一PR图案的中心向着第一PR图案的相对侧三维地增大；基于第一套准计算掩模的变形数据；将电压施加到掩模台的夹持电极，以将掩模创建为变形掩模；以及通过使用变形掩模执行EUV曝光工艺，在晶圆上形成第二PR图案。