公开(公告)号：CN112820337A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202011238027.6

申请日：2020-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴益均 ,  申崇晩 ,  崔奎锡

IPC: G11C16/04 ,  G11C11/406

Abstract: 提供存储器控制器、存储器系统和存储器系统的操作方法。所述操作方法包括：基于与多个存储器芯片之中的存储器芯片的多个操作状态中的每个操作状态的功耗有关的信息，针对所述多个操作状态中的每个操作状态，设置指示允许并行操作的存储器芯片的数量的参数；获得与所述多个存储器芯片中的每个存储器芯片的操作状态有关的信息；以及基于所述参数和与所述多个存储器芯片中的每个存储器芯片的操作状态有关的信息，对通过分别与所述多个存储器芯片对应的多个通道的数据存取进行调度。

公开(公告)号：CN109686388B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201811169013.6

申请日：2018-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申崇晩 ,  金亨镇 ,  金荣昱

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/22

Abstract: 提供了存储设备和存储设备的操作方法。可以提供包括非易失性存储装置和控制器的存储设备，所述非易失性存储装置包括存储块，所述控制器通过多条数据输入和输出线以及数据选通线与所述非易失性存储装置连接。所述非易失性存储装置和所述控制器可以被配置为通过调整通过所述数据选通线发送的数据选通信号的延迟来对所述多条数据输入和输出线执行训练，以及基于训练结果来调整所述多条数据输入和输出线的延迟。

公开(公告)号：CN115881179A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211157494.5

申请日：2022-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李英敏 ,  申崇晩

IPC: G11C7/10

Abstract: 示例实施例提供了一种存储装置及其操作方法，该存储装置包括：存储控制器，其包括多个模拟电路；以及至少一个非易失性存储器装置，其包括第一区和第二区。至少一个非易失性存储器装置将用户数据存储在第二区中，并且将修整控制码存储在第一区中作为补偿数据集。修整控制码被配置为补偿多个模拟电路的偏差，并且通过对存储控制器的晶圆级测试获得修整控制码。在通电过程中，存储控制器从至少一个非易失性存储器装置的第一区中读取补偿数据集，在其中存储读取的补偿数据集，并且基于存储的补偿数据集调整多个模拟电路的偏差。

公开(公告)号：CN109686388A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811169013.6

申请日：2018-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申崇晩 ,  金亨镇 ,  金荣昱

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/22

Abstract: 提供了存储设备和存储设备的操作方法。可以提供包括非易失性存储装置和控制器的存储设备，所述非易失性存储装置包括存储块，所述控制器通过多条数据输入和输出线以及数据选通线与所述非易失性存储装置连接。所述非易失性存储装置和所述控制器可以被配置为通过调整通过所述数据选通线发送的数据选通信号的延迟来对所述多条数据输入和输出线执行训练，以及基于训练结果来调整所述多条数据输入和输出线的延迟。