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发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN115985914A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211252308.6

申请日：2022-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵信喆 , 千健龙 , 高明东 , 朴容喜 , 李尚炫 , 金洞院 , 申宇胜 , 李炯锡

IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , B82Y10/00

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括具有下图案和与下图案间隔开的片图案的有源图案、在下图案上并具有围绕每个片图案的栅电极和栅极绝缘膜的栅极结构、在栅极结构上的栅极覆盖图案、在栅极覆盖图案和栅极结构之间的栅极蚀刻停止图案、沿着栅极覆盖图案的侧壁的栅极间隔件、在栅极结构上的源极/漏极图案、穿过栅极覆盖图案并连接到栅电极的栅极接触件以及在源极/漏极图案上并连接到源极/漏极图案的源极/漏极接触件，栅极接触件的上表面和栅极间隔件的上表面共面。

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