公开(公告)号：CN113809088A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110671521.X

申请日：2021-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东玹 ,  姜敏圭 ,  文瑞琳 ,  闵胜基 ,  朴盛珉 ,  李钟旻

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575

Abstract: 一种三维半导体存储器装置包括外围电路结构、在外围电路结构上方的单元阵列结构、以及将单元阵列结构连接到外围电路结构的外围接触过孔结构，外围接触过孔结构包括在外围电路结构中的第一贯通区域中的第一外围接触过孔结构和在外围电路结构中的第二贯通区域中的第二外围接触过孔结构，第二贯通区域在外围电路结构上方与第一贯通区域间隔开，并且第二外围接触过孔结构的第二临界尺寸与第一外围接触过孔结构的第一临界尺寸之间的差根据包括在第二贯通区域和第一贯通区域中的材料层被不同地配置。