-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1094474C
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN98123581.6
申请日：1998-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C03C4/12
CPC classification number: C03C4/12 , C03C3/321 , C03C13/043 , H01S3/06716 , H01S3/1613 , H01S3/17
Abstract: 一种用于光放大的Ge-Ga-S-基玻璃组合物以及一种使用该Ge-Ga-S-基玻璃组合物进行光通信的装置。在根据本发明的玻璃组合物中，把用于执行发光和光放大操作的活性物质添加Ge-Ga-S玻璃基质中，在该玻璃基质中其中所添加的用于把光放大增益分布改变的过渡金属离子的浓度为从0.01mol%到0.2mol%。
-
公开(公告)号：CN1115426C
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN98102663.X
申请日：1998-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/402 , C23C16/453
Abstract: 一种生产二氧化硅薄膜的设备，该设备包括一含有一装载多片晶片的装载部件用于移动传输所装载的晶片的传送器、一设于传送器之上用以产生火焰在多片晶片上淀积二氧化硅烟灰的淀积部件、一邻近淀积部件用于从二氧化硅烟灰中去除水分的煅烧部件、以及一邻近煅烧部件用于使煅烧的二氧化硅烟灰致密形成一层二氧化硅薄膜的烧结部件。以此就能使二氧化硅薄膜的生产工艺连续进行，提高了生产率。
-
公开(公告)号：CN1216752A
公开(公告)日：1999-05-19
申请号：CN98123580.8
申请日：1998-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C03C4/12
CPC classification number: H01S3/17 , C03C3/323 , H01S3/1603 , H01S3/1613
Abstract: 本发明提供了一种具有光放大特性的以Ge－Ga－S为基的玻璃组合物,以及使用该组合物进行光纤通讯的装置。本发明包括一种以贫硫Ge－Ga－S为基的玻璃基质,它比GeS2－Ge2S3的组成曲线上的玻璃含较少的硫,以及掺入该玻璃基质中的用于发光和光放大的稀土活性材料。本发明也提供了使用这种玻璃组合物的光学装置。
-
公开(公告)号：CN1113045C
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN98123580.8
申请日：1998-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C03C4/12
CPC classification number: H01S3/17 , C03C3/323 , H01S3/1603 , H01S3/1613
Abstract: 本发明提供了一种具有光放大特性的以Ge-Ga-S为基的玻璃组合物，以及使用该组合物进行光纤通讯的装置。本发明包括一种以贫硫Ge-Ga-S为基的玻璃基质，它比GeS2-Ge2S3的组成曲线上的玻璃含较少的硫，以及掺入该玻璃基质中的用于发光和光放大的稀土活性材料。本发明也提供了使用这种玻璃组合物的光学装置。
-
公开(公告)号：CN1216753A
公开(公告)日：1999-05-19
申请号：CN98123581.6
申请日：1998-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C03C4/12
CPC classification number: C03C4/12 , C03C3/321 , C03C13/043 , H01S3/06716 , H01S3/1613 , H01S3/17
Abstract: 一种用于光放大的Ge－Ga－S基玻璃组合物以及一种使用该Ge－Ga－S－基玻璃组合物进行光通信的装置。在根据本发明的玻璃组合物中,把用于执行发光和光放大操作的活性物质添加Ge－Ga－S玻璃基质中,在该玻璃基质中其中所添加的用于把光放大增益分布改变的过渡金属离子的浓度为从0.01mol%到0.2mol%。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.022 seconds)
