公开(公告)号：CN117352512A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310796854.4

申请日：2023-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田卿彬 ,  金真范 ,  申东石 ,  金傔 ,  金茶惠

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件，包括在衬底上并在第一方向上突出的下部图案，在下部图案上并包括与下部图案接触的半导体衬垫膜的源极/漏极图案、以及沿着半导体衬垫膜的侧壁的至少一部分延伸的外延绝缘衬垫，其中外延绝缘衬垫与半导体衬垫膜接触，其中半导体衬垫膜包括第一部分，其中半导体衬垫膜的第一部分包括在第一高度处与下部图案间隔开的第一点以及在第二高度处与下部图案间隔开的第二点，其中第二高度大于第一高度，其中半导体衬垫膜在第一点处在第二方向上的宽度小于半导体衬垫膜在第二点处在第二方向上的宽度，并且其中外延绝缘衬垫沿着半导体衬垫膜的第一部分的侧壁的至少一部分延伸。

公开(公告)号：CN117276322A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310677619.5

申请日：2023-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金茶惠 ,  金傔 ,  金真范 ,  郑秀珍 ,  田卿彬

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 一种具有改进的性能和可靠性的半导体器件。半导体器件可以包括在第一方向上延伸的下部图案以及在垂直于第一方向的第二方向上与下部图案间隔开的多个片状图案。多个栅极结构可以在下部图案上并且在第一方向上间隔开，源极/漏极图案可以包括半导体衬垫膜和在半导体衬垫膜上的半导体填充膜。由半导体衬垫膜的内表面限定的衬垫凹陷可以包括多个宽度延伸区域，并且随着在第二方向上距下部图案的上表面的距离增大，每个宽度延伸区域在第一方向上的宽度可以增大然后减小。