公开(公告)号：CN109087918A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810600164.6

申请日：2018-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光洙 ,  金贤锡 ,  洪淳爀 ,  黄斗熙

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11578

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/7926 ,  H01L27/11563 ,  H01L27/11578

Abstract: 一种垂直存储器件包括：栅极结构，包括堆叠在衬底上的多个栅电极层；多个沟道结构，穿过栅极结构并在垂直于衬底的上表面的方向上延伸；公共源极线，穿过栅极结构并在第一方向上延伸；金属线，在第一方向上在公共源极线之上延伸；以及多个连接部分，插置在金属线和公共源极线之间。