公开(公告)号：CN119400786A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202410434302.3

申请日：2024-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白寅圭 ,  洪淳亨

IPC: H01L25/16 ,  H10H20/856 ,  H10H20/852 ,  H01L23/31 ,  H10H20/855 ,  H10H20/851

Abstract: 本申请涉及一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基底；连接基底，设置在封装基底上；第一半导体芯片，设置在连接基底上；第二半导体芯片，设置在连接基底上并与第一半导体芯片间隔开；成型层，设置在封装基底上，并且至少部分地覆盖连接基底、第一半导体芯片和第二半导体芯片；以及光导构件，延伸到成型层中并设置在第二半导体芯片上。

公开(公告)号：CN119653783A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411151167.8

申请日：2024-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白寅圭 ,  姜昑孝 ,  崔贤默 ,  洪淳亨

IPC: H10D1/68 ,  H10F39/12

Abstract: 一种示例半导体器件包括位于衬底上的电容器结构。电容器结构包括第一电极结构、第二电极结构和电容器电介质层。第一电极结构包括在与衬底垂直的第一方向上彼此分开的第一水平电极部分和连接到每个第一水平电极部分并且在第一方向上延伸的第一导电柱。第二电极结构包括在第一方向上延伸穿过第一水平电极部分的第二导电柱和在第二导电柱的侧壁上沿第一方向彼此分开并且与第一水平电极部分交替排列的第二水平电极部分。电容器电介质层位于第二导电柱的侧壁与第一水平电极部分之间。