公开(公告)号：CN115732443A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210565994.6

申请日：2022-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河昇秀 ,  崔朱燕 ,  李俊镐

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/488

Abstract: 提供了一种具有上再分布结构的半导体封装件。所述半导体封装件的所述上再分布结构包括：上再分布绝缘层，设置在半导体芯片上；第一上再分布线路图案，在所述上再分布绝缘层内部在水平方向上延伸；第一上再分布通路图案，在所述上再分布绝缘层内部在垂直方向上延伸，并且被构造为将多个第一导电焊盘连接到所述第一上再分布线路图案；焊盘线路图案，在所述上再分布绝缘层的上部在所述水平方向上延伸，并且被构造为将多个第二导电焊盘彼此连接；以及焊盘通路图案，在所述上再分布绝缘层内部在所述垂直方向上延伸，并且被构造为将所述多个第一导电焊盘中的至少一者连接到所述导电连接构件。

公开(公告)号：CN109509726B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201810336638.0

申请日：2018-04-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河昇秀 ,  李贤锡 ,  金善湖

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件。所述扇出型半导体封装件包括具有通孔的芯构件。半导体芯片位于所述通孔中，并且包括具有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面。包封剂包封所述芯构件和所述半导体芯片的至少部分，并且填充所述通孔的至少部分。连接构件位于所述芯构件和所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层。在所述芯构件的设置有所述连接构件的下部中，所述芯构件包括从所述通孔的壁向外贯穿到所述芯构件的外侧表面的槽部。

公开(公告)号：CN115706077A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210572107.8

申请日：2022-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱燕 ,  李恩贞 ,  李俊镐 ,  河昇秀

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/66 ,  H01L25/18 ,  H10B80/00

Abstract: 提供了一种半导体封装件和包括其的堆叠式封装件。所述半导体封装件包括：成对的差分信号布线线路，包括彼此平行延伸且间隔开的第一差分信号布线线路和第二差分信号布线线路；下等电位板，位于所述信号布线层下方的下布线层中；上等电位板，位于所述信号布线层上方的上布线层中；以及布线绝缘层，与所述成对的差分信号布线线路、所述下等电位板和所述上等电位板相邻，所述布线绝缘层填充所述信号布线层、所述下布线层和所述上布线层之间的空间，所述下等电位板和所述上等电位板中的至少一者包括阻抗开口，所述阻抗开口在垂直方向上与所述成对的差分信号布线线路重叠并被所述布线绝缘层填充。