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公开(公告)号：CN112447259A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010883429.5
申请日：2020-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电子设备，包括：存储器设备；非易失性存储器，被配置为存储分别与存储器设备的操作电压相对应的多个第一配置参数和分别与存储器设备的操作温度相对应的多个第二配置参数；以及存储器控制器，被配置为：确定存储在非易失性存储器中的多个第一配置参数之中的与存储器设备的操作电压相对应的第三配置参数的值，而不执行训练操作；确定存储在非易失性存储器中的多个第二配置参数之中的与存储器设备的操作温度相对应的第四配置参数的值，而不执行训练操作；以及根据确定的第三配置参数和第四配置参数的值驱动存储器设备。
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公开(公告)号：CN112447253A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010498614.2
申请日：2020-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置和控制半导体存储器装置的修复的方法。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列、纠错码(ECC)引擎、连接在存储器单元阵列与ECC引擎之间的输入/输出(I/O)门控电路、错误信息寄存器和控制逻辑电路。存储器单元阵列包括多个存储器单元行。控制逻辑电路基于命令和地址来控制ECC引擎、I/O门控电路和错误信息寄存器。I/O门控电路向ECC引擎提供通过对多个存储器单元行的刷新操作而从存储器单元阵列读取的码字。ECC引擎基于码字的奇偶校验位对码字的主数据执行ECC解码，并且响应于由于执行ECC解码而针对对应的地址检测到可纠正错误，向控制逻辑电路提供错误产生信号。
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公开(公告)号：CN120029798A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411485655.2
申请日：2024-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种储存装置及其操作方法。该储存装置包括：存储器装置；电源端口，其从主机装置接收第一外部电力电压；电源电路，其从电源端口接收第一外部电力电压并且基于第一外部电力电压生成第一内部电力电压；监视电路，其从电源端口接收第一外部电力电压并且基于对第一外部电力电压的监视生成第一通电复位信号；以及储存控制器，其被配置为控制存储器装置。储存控制器基于第一内部电力电压和第一通电复位信号被驱动，并且监视电路检测从监视电路传输至储存控制器的第一通电复位信号中的电压降并且响应于检测电压降将错误检测信号提供至储存控制器。
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公开(公告)号：CN112306737B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202010401661.0
申请日：2020-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了控制易失性存储器装置的修复的方法和存储装置。所述方法包括：重复地执行巡检读取操作，以提供包括在来自易失性存储器装置的读取数据中的错误的错误位置信息；通过累积基于重复地执行的巡检读取操作的错误位置信息来生成累积错误信息；基于累积错误信息确认错误属性，错误属性指示错误与易失性存储器装置的结构之间的相关性；以及基于累积错误信息和错误属性针对易失性存储器装置执行运行时间修复操作。可以有效地管理错误，以防止易失性存储器装置的故障，因此可以提高易失性存储器装置和存储装置的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN112306737A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010401661.0
申请日：2020-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了控制易失性存储器装置的修复的方法和存储装置。所述方法包括：重复地执行巡检读取操作，以提供包括在来自易失性存储器装置的读取数据中的错误的错误位置信息；通过累积基于重复地执行的巡检读取操作的错误位置信息来生成累积错误信息；基于累积错误信息确认错误属性，错误属性指示错误与易失性存储器装置的结构之间的相关性；以及基于累积错误信息和错误属性针对易失性存储器装置执行运行时间修复操作。可以有效地管理错误，以防止易失性存储器装置的故障，因此可以提高易失性存储器装置和存储装置的性能和寿命。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN112540869A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010895577.9
申请日：2020-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器控制器、存储装置和存储装置的操作方法。所述存储装置包括：非易失性存储器；易失性存储器；和存储器控制器，被配置为控制非易失性存储器和易失性存储器。存储器控制器被配置为：在所述存储装置的操作期间，响应于确定在非易失性存储器和易失性存储器中的至少一个存储器中已经发生渐进缺陷，而使得所述至少一个存储器被确定为缺陷存储器，基于执行存储器恢复固件对缺陷存储器执行修复操作。
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公开(公告)号：CN112447252A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010460260.2
申请日：2020-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 提供了一种控制易失性存储器装置的修复的方法和存储装置。设置易失性存储器装置的测试操作条件，使得与用于易失性存储器装置的正常操作的正常操作条件相比，错误概率基于测试操作条件增大。针对与包括在易失性存储器装置中的存储器单元阵列的至少一部分对应的测试对象区域设置测试模式。在测试模式期间基于测试操作条件执行易失性存储器装置的测试操作，以检测存储在测试对象区域中的数据中的错误的错误位置信息。基于错误位置信息针对易失性存储器装置执行运行时修复操作。
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公开(公告)号：CN112306760A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010623751.4
申请日：2020-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器系统，包括：多个存储器设备，多个存储器设备中的每一个存储器设备包括多个存储器单元，并且多个存储器设备中的至少一个存储器设备包括备份区域；以及，存储器控制器，被配置为：响应于多个选定的存储器单元中的至少一个选定的存储器单元中出现可纠正纠错码(CECC)，将要被存储在多个选定的存储器单元中的数据存储在多个选定的存储器单元和备份区域中，多个选定的存储器单元连接到多个存储器设备之中的选定的存储器设备的选定的字线，以及，用与多个存储器单元之中的多个冗余存储器单元连接的冗余字线来替换选定的字线。
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