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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103022066A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210349575.5
申请日：2012-09-19
IPC: H01L27/146 , H04N5/32
Abstract: 根据示例实施例，一种图像传感器包括被配置为放大由感测单元感测到的电荷的电荷感测放大器。所述电荷感测放大器包括输入端、放大端、输出端、连接在输入端和放大端之间的第一电容器、连接在输入端和放大端之间的第一开关、连接在放大端和输出端之间的第二电容器、以及连接在输出端和参考电压端之间的第二开关。
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公开(公告)号：CN102955167A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210284794.X
申请日：2012-08-10
IPC: G01T1/36
CPC classification number: G01T1/17 , A61B6/032 , A61B6/4241 , G01T1/16 , G01T1/246 , G01T1/247 , G01T1/2928 , G01T1/36
Abstract: 本发明公开了一种用于区分多能带辐射中的光子的能带的设备和方法。一种用于在读出电路中区分光子的能带的设备，所述读出电路针对每个能带对入射到传感器上的多能带辐射中的光子进行计数，该设备包括：积分器，用于积聚从已经进行了从光子的光电转换的传感器接收的电信号；比较器，用于将从积分器接收的积聚电信号与多个阈值中的一个阈值进行比较；信号处理器，用于根据比较的结果指示从多个阈值中的一个阈值顺序地切换到另一个阈值；基于与多个阈值顺序比较的来自比较器的结果输出区分光子的能带的数字信号。
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公开(公告)号：CN105428515B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201510440995.8
申请日：2015-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了热电元件和包括热电元件的半导体装置。热电元件提供如下。第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构设置在半导体基底上。每个半导体鳍结构沿第一方向延伸，从半导体基底突出。第一半导体纳米线和第二半导体纳米线分别设置在第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构上。第一半导体纳米线包括第一杂质。第二半导体纳米线包括与第一杂质不同的第二杂质。第一电极连接到第一半导体纳米线的第一端和第二半导体纳米线的第一端。第二电极连接到第一半导体纳米线的第二端。第三电极连接到第二半导体纳米线的第二端。
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公开(公告)号：CN102955167B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210284794.X
申请日：2012-08-10
IPC: G01T1/36
CPC classification number: G01T1/17 , A61B6/032 , A61B6/4241 , G01T1/16 , G01T1/246 , G01T1/247 , G01T1/2928 , G01T1/36
Abstract: 本发明公开了一种用于区分多能带辐射中的光子的能带的设备和方法。一种用于在读出电路中区分光子的能带的设备，所述读出电路针对每个能带对入射到传感器上的多能带辐射中的光子进行计数，该设备包括：积分器，用于积聚从已经进行了从光子的光电转换的传感器接收的电信号；比较器，用于将从积分器接收的积聚电信号与多个阈值中的一个阈值进行比较；信号处理器，用于根据比较的结果指示从多个阈值中的一个阈值顺序地切换到另一个阈值；基于与多个阈值顺序比较的来自比较器的结果输出区分光子的能带的数字信号。
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公开(公告)号：CN105428515A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510440995.8
申请日：2015-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了热电元件和包括热电元件的半导体装置。热电元件提供如下。第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构设置在半导体基底上。每个半导体鳍结构沿第一方向延伸，从半导体基底突出。第一半导体纳米线和第二半导体纳米线分别设置在第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构上。第一半导体纳米线包括第一杂质。第二半导体纳米线包括与第一杂质不同的第二杂质。第一电极连接到第一半导体纳米线的第一端和第二半导体纳米线的第一端。第二电极连接到第一半导体纳米线的第二端。第三电极连接到第二半导体纳米线的第二端。
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