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发明公开
半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN117639816A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311011110.3

申请日：2023-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵廷烈 , 李钟洙 , 金德洙 , 梁义凤

IPC: H04B1/16 , H04L5/00

Abstract: 一种半导体器件包括第一低噪声放大器(LNA)、第二LNA、第一接收电路和第二接收电路、以及射频多路选择器。第一LNA连接到第一接收端口，并且第二LNA连接到与第一接收端口不同的第二接收端口。第一接收电路包括第一变压器并且对第一LNA和第二LNA的一个或更多个输出进行处理。第二接收电路对第一LNA和第二LNA的输出中的一个或更多个输出进行处理。射频多路选择器控制第一LNA和第二LNA与第一接收电路和第二接收电路之间的连接。第一接收电路包括具有第一端和第二端的第一可变电容器，该第一端连接到射频多路选择器的输出并且该第二端连接到第一变压器。

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