公开(公告)号：CN115083907A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202111529079.3

申请日：2021-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贤璂 ,  金德南 ,  裵根熙 ,  孙世一 ,  柳光浩 ,  张哲仁

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成第一掩模层；在所述第一掩模层上形成第二掩模层和第一间隔物；在所述第二掩模层上形成光刻胶图案；通过经由第一蚀刻工艺来图案化所述第二掩模层而形成第二掩模图案；通过经由第二蚀刻工艺来图案化所述第一掩模层而形成第一掩模图案；通过经由第三蚀刻工艺来蚀刻所述层间绝缘层的一部分而形成沟槽；以及在所述沟槽中形成互连图案。第一掩模图案在所述第二蚀刻工艺之后的宽度小于光刻胶图案的宽度。

公开(公告)号：CN107037982B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201611195390.8

申请日：2016-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金吉焕 ,  柳光浩 ,  金银哲 ,  安锡源 ,  尹灿湖

IPC: G06F3/06 ,  G06F11/10

Abstract: 提供RAID‑6数据存储装置以及包括其的数据处理系统。提供一种数据存储装置。所述数据存储装置包括：存储介质，被配置为存储包括在条带集中的数据块；控制器，连接到存储介质，并且被配置为：在数据块之中的设置在一列中的第一数据块的读取操作期间，将第一数据块进行解码；基于第一数据块的读取故障，读取数据块之中的设置在所述列中的第一组数据块。

公开(公告)号：CN107037982A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611195390.8

申请日：2016-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金吉焕 ,  柳光浩 ,  金银哲 ,  安锡源 ,  尹灿湖

IPC: G06F3/06 ,  G06F11/10

CPC classification number: G06F11/108 ,  G06F11/1072 ,  G11C29/52 ,  G06F3/067 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0665 ,  G06F3/0689 ,  G06F11/1088

Abstract: 提供RAID‑6数据存储装置以及包括其的数据处理系统。提供一种数据存储装置。所述数据存储装置包括：存储介质，被配置为存储包括在条带集中的数据块；控制器，连接到存储介质，并且被配置为：在数据块之中的设置在一列中的第一数据块的读取操作期间，将第一数据块进行解码；基于第一数据块的读取故障，读取数据块之中的设置在所述列中的第一组数据块。

公开(公告)号：CN115017554A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210138669.1

申请日：2022-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳光浩 ,  田虎侑 ,  崔宰准 ,  崔弘默 ,  洪周亨

IPC: G06F21/78 ,  G06F21/60 ,  G11C29/42

Abstract: 本公开描述了一种存储装置和存储装置的操作方法。该存储装置包括非易失性存储器装置和控制非易失性存储器装置的存储器控制器。存储器控制器包括多个加密和解密核心，所述多个加密和解密核心同时执行初始化并且分别生成多个初始调整值，顺序地选择所述多个初始调整值以执行加密或解密，并且使用从所述多个初始调整值选择的初始调整值一起执行加密或解密。

公开(公告)号：CN114974362A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210155364.1

申请日：2022-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳光浩 ,  河承旻 ,  金吉焕 ,  张虎荣 ,  洪周亨

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/24

Abstract: 提供了存储控制器和存储控制器的操作方法。所述存储控制器包括：处理电路系统，被配置为：从与RAID(廉价磁盘冗余阵列)连接的多个非易失性存储器装置中的每个读取子条带数据，检查子条带数据中的至少一个的错误信息，以及响应于子条带数据中的所述至少一个具有不可纠正错误，执行RAID恢复操作；以及RAID存储器，存储RAID恢复操作的计算结果。