公开(公告)号：CN1821868A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610008641.7

申请日：2006-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  宋利宪 ,  金锡必 ,  张丞爀 ,  柳元壹 ,  金勳

IPC: G03F1/00

CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G21K2201/067

Abstract: 一种光掩模及其方法。在示例方法中，该光掩模可以通过以下步骤制造：在表面上形成氧化物层；构图所述氧化物层以形成氧化物图案，所述氧化物图案包括多个氧化物图案主体和多个氧化物窗口；用吸收剂填充所述多个氧化物窗口以形成吸收剂图案；以及减少所述多个氧化物图案主体。示例的光掩模可以包括基于氧化物图案的吸收剂图案，其包括多个吸收剂图案主体和多个吸收剂图案窗口。

公开(公告)号：CN1702852A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510071668.6

申请日：2005-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳寅儆 ,  郑守桓 ,  柳元壹

IPC: H01L21/8239 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42332 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/7883

Abstract: 本发明提供了一种制造存储器的方法，该存储器包括具有均匀分布的硅纳米点的栅。该方法包括：在衬底上形成栅，该栅具有绝缘薄膜，还具有在该绝缘薄膜中顺序叠放并且以预定距离彼此隔开的纳米点层和导电薄膜图案；在衬底中形成源区和漏区；以及分别在源区和漏区形成第一和第二金属层。

公开(公告)号：CN1385904A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN02100922.8

申请日：2002-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金炳晚 ,  金汶庆 ,  蔡熙顺 ,  柳元壹

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/772 ,  H01L21/82

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/7888

Abstract: 提供一种由栅电极和单电子储存单元之间的量子点组成的单电子存储器件及其制造方法。此单电子存储器件包含一个在其上在源极和漏极之间形成一个纳米尺度沟道的衬底,以及包含沟道区上的量子点的栅极叠层图形。栅极叠层图形包含在沟道区形成的一个下层,在下层上形成的单电子储存介质,用来储存隧穿通过下层的单个电子,一个包含在单电子储存介质上形成的量子点的上层,以及在上层上形成的要与量子点接触的栅电极。

公开(公告)号：CN1326244C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN03108490.7

申请日：2003-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金柱亨 ,  金桢雨 ,  蔡熙顺 ,  柳元壹

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L21/28194 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0475 ,  G11C2216/06 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7888

Abstract: 提供了一永久性硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅(SONSNOS)存储器。该SONSNOS存储器包括堆叠在衬底通道上的第一和第二绝缘层，分别形成在第一绝缘层之上和第二绝缘层之下的第一和第二介电层，插入在第一和第二介电层间的一Ⅳ族半导体层，硅量子点，或金属量子点。该SONSNOS存储器提高了编程速率和存储能力。

公开(公告)号：CN1811593A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510121654.0

申请日：2005-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋利宪 ,  柳元壹 ,  金锡必 ,  金勋 ,  张丞爀 ,  金元柱 ,  朴永洙

IPC: G03F1/14 ,  G03F1/00 ,  G03F7/20

Abstract: 用于光刻的掩模及其制造方法。掩模包括衬底，由能反射电磁辐射的材料在衬底上形成的反射层，和以希望的图案形成的吸收图案以使得形成对于电磁辐射的吸收区和电磁射线通过的窗口区，其中吸收图案包括至少一个邻近窗口并且相对于反射层倾斜的侧面。该方法可以包括在衬底上形成由能够反射电磁射线的材料形成的反射层，在反射层上形成由能够吸收电磁射线的材料形成的吸收层，和图案化吸收层以形成具有至少一个邻近窗口的侧面并且具有相对于反射层倾斜的侧面的吸收图案。

公开(公告)号：CN1189943C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN02100922.8

申请日：2002-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金炳晚 ,  金汶庆 ,  蔡熙顺 ,  柳元壹

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/772 ,  H01L21/82

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/7888

Abstract: 提供一种由栅电极和单电子储存单元之间的量子点组成的单电子存储器件及其制造方法。此单电子存储器件包含一个在其上在源极和漏极之间形成一个纳米尺度沟道的衬底，以及包含沟道区上的量子点的栅极叠层图形。栅极叠层图形包含在沟道区形成的一个下层，在下层上形成的单电子储存介质，用来储存隧穿通过下层的单个电子，一个包含在单电子储存介质上形成的量子点的上层，以及在上层上形成的要与量子点接触的栅电极。

公开(公告)号：CN100343979C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200510071668.6

申请日：2005-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳寅儆 ,  郑守桓 ,  柳元壹

IPC: H01L21/8239 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42332 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/7883

Abstract: 本发明提供了一种制造存储器的方法，该存储器包括具有均匀分布的硅纳米点的栅。该方法包括：在衬底上形成栅，该栅具有绝缘薄膜，还具有在该绝缘薄膜中顺序叠放并且以预定距离彼此隔开的纳米点层和导电薄膜图案；在衬底中形成源区和漏区；以及分别在源区和漏区形成第一和第二金属层。

公开(公告)号：CN1490876A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN03108490.7

申请日：2003-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金柱亨 ,  金桢雨 ,  蔡熙顺 ,  柳元壹

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L21/28194 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0475 ,  G11C2216/06 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7888

Abstract: 提供了一永久性硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅(SONSNOS)存储器。该SONSNOS存储器包括堆叠在衬底通道上的第一和第二绝缘层，分别形成在第一绝缘层之上和第二绝缘层之下的第一和第二介电层，插入在第一和第二介电层间的一IV族半导体层，硅量子点，或金属量子点。该SONSNOS存储器提高了编程速率和存储能力。