公开(公告)号：CN106449595A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610631635.0

申请日：2016-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载悳 ,  林泳雨

IPC: H01L23/528 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11573 ,  H01L23/528 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14

Abstract: 本发明构思涉及一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：基板，包括电路区和分别设置在电路区的彼此相反的两侧的第一连接区和第二连接区；逻辑结构，包括设置在电路区上的逻辑电路和覆盖逻辑电路的下部绝缘层；以及在逻辑结构上的存储器结构。逻辑电路包括相邻于第一连接区设置的第一页面缓冲器和相邻于第二连接区设置的第二页面缓冲器。存储器结构包括延伸到第一连接区和第二连接区中的至少一个上的位线。

公开(公告)号：CN106449595B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN201610631635.0

申请日：2016-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载悳 ,  林泳雨

IPC: H01L23/528 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14

Abstract: 本发明构思涉及一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：基板，包括电路区和分别设置在电路区的彼此相反的两侧的第一连接区和第二连接区；逻辑结构，包括设置在电路区上的逻辑电路和覆盖逻辑电路的下部绝缘层；以及在逻辑结构上的存储器结构。逻辑电路包括相邻于第一连接区设置的第一页面缓冲器和相邻于第二连接区设置的第二页面缓冲器。存储器结构包括延伸到第一连接区和第二连接区中的至少一个上的位线。