公开(公告)号：CN110289267A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201811547596.1

申请日：2018-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨涵维 ,  孙龙勋

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明构思提供了一种存储器件及其制造方法。存储器件包括其上具有第一源极膜的衬底和在第一源极膜上的上堆叠结构。提供导电沟道结构，其延伸穿过上堆叠结构和第一源极膜。沟道结构包括垂直地延伸穿过上堆叠结构和第一源极膜的沟道图案、以及在沟道图案的侧壁上的信息存储图案。提供第二源极膜，其在衬底的表面与第一源极膜之间延伸。接触沟道图案的第二源极膜包括向上延伸的突起，该突起在信息存储图案之下延伸。提供沟道保护膜，其在突起的至少一部分与信息存储图案的至少一部分之间延伸。

公开(公告)号：CN110289267B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN201811547596.1

申请日：2018-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨涵维 ,  孙龙勋

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35

Abstract: 本发明构思提供了一种存储器件及其制造方法。存储器件包括其上具有第一源极膜的衬底和在第一源极膜上的上堆叠结构。提供导电沟道结构，其延伸穿过上堆叠结构和第一源极膜。沟道结构包括垂直地延伸穿过上堆叠结构和第一源极膜的沟道图案、以及在沟道图案的侧壁上的信息存储图案。提供第二源极膜，其在衬底的表面与第一源极膜之间延伸。接触沟道图案的第二源极膜包括向上延伸的突起，该突起在信息存储图案之下延伸。提供沟道保护膜，其在突起的至少一部分与信息存储图案的至少一部分之间延伸。