公开(公告)号：CN112771682B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN201980064151.4

申请日：2019-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭度英 ,  和田胜 ,  具滋铭 ,  金恩惠 ,  朴相武 ,  杨善雅 ,  吴旼燮 ,  李胤石 ,  赵莹炅

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/00 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62 ,  H01L33/10 ,  H01L27/15

Abstract: 一种发光二极管(LED)包括：器件基板；第一半导体层，在所述器件基板上方并且掺杂有n型掺杂剂；第二半导体层，在所述第一半导体层上方并且掺杂有p型掺杂剂；有源层，在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间并且被配置为提供光；透明电极层，与所述第二半导体层的上部相邻；以及第一电极焊盘和第二电极焊盘，在所述器件基板和所述第一半导体层之间，所述第一电极焊盘与所述第一半导体层电连接并且所述第二电极焊盘与所述第二半导体层电连接，其中，由所述有源层提供的光沿从所述有源层到所述第二半导体层的方向照射到外部。

公开(公告)号：CN112771682A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201980064151.4

申请日：2019-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭度英 ,  和田胜 ,  具滋铭 ,  金恩惠 ,  朴相武 ,  杨善雅 ,  吴旼燮 ,  李胤石 ,  赵莹炅

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/00 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62 ,  H01L33/10 ,  H01L27/15

Abstract: 一种发光二极管(LED)包括：器件基板；第一半导体层，在所述器件基板上方并且掺杂有n型掺杂剂；第二半导体层，在所述第一半导体层上方并且掺杂有p型掺杂剂；有源层，在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间并且被配置为提供光；透明电极层，与所述第二半导体层的上部相邻；以及第一电极焊盘和第二电极焊盘，在所述器件基板和所述第一半导体层之间，所述第一电极焊盘与所述第一半导体层电连接并且所述第二电极焊盘与所述第二半导体层电连接，其中，由所述有源层提供的光沿从所述有源层到所述第二半导体层的方向照射到外部。