公开(公告)号：CN110993606A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201910925868.5

申请日：2019-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志峰 ,  金昭延 ,  李韩永 ,  尹永培 ,  殷东锡

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种三维半导体存储器装置包括：衬底；电极结构，其包括竖直地层叠在衬底上的电极，各个电极具有焊盘部分；电极分离结构，其穿透电极结构并在第二方向上彼此隔开；以及接触插塞，其耦接到焊盘部分。接触插塞包括第一接触插塞以及在第二方向上与第一接触插塞隔开的第二接触插塞。电极分离结构包括在第一接触插塞和第二接触插塞之间的第一电极分离结构。第一接触插塞在第二方向上与第一电极分离结构隔开第一距离。第二接触插塞在第二方向上与第一电极分离结构隔开不同于第一距离的第二距离。

公开(公告)号：CN110993606B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201910925868.5

申请日：2019-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志峰 ,  金昭延 ,  李韩永 ,  尹永培 ,  殷东锡

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 一种三维半导体存储器装置包括：衬底；电极结构，其包括竖直地层叠在衬底上的电极，各个电极具有焊盘部分；电极分离结构，其穿透电极结构并在第二方向上彼此隔开；以及接触插塞，其耦接到焊盘部分。接触插塞包括第一接触插塞以及在第二方向上与第一接触插塞隔开的第二接触插塞。电极分离结构包括在第一接触插塞和第二接触插塞之间的第一电极分离结构。第一接触插塞在第二方向上与第一电极分离结构隔开第一距离。第二接触插塞在第二方向上与第一电极分离结构隔开不同于第一距离的第二距离。