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公开(公告)号：CN107799142B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201710769968.4
申请日：2017-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 提供了一种存储设备及其操作方法。存储设备包括非易失性存储器设备和控制器。非易失性存储器设备包括多个存储块，多个存储块中的每个包括连接到多个串选择线的串选择晶体管、连接到多个接地选择线的接地选择晶体管以及连接到多个字线的存储单元。控制器在读取回收操作期间读取第一存储块的有效数据组并且将与有效数据组写入第二存储块中。控制器基于有效数据组的读取计数分配写入有效数据组的第二存储块的位置。
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公开(公告)号：CN109032968A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810265475.1
申请日：2018-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/1009
CPC classification number: G06F12/06 , G06F12/0246 , G06F12/1009 , G06F2212/1008 , G06F2212/2022 , G06F2212/7201
Abstract: 通过从主机接收包括用于要存储在非易失性存储器中的数据的改变逻辑地址的地址改变信息，可以提供操作包括非易失性存储器的存储设备的方法。物理地址可以被顺序分配给包含在地址改变信息中的改变逻辑地址，以提供第一日志。分配给改变逻辑地址的至少一个物理地址的一部分可以被移除以提供第二日志，并且第二日志可以被存储在非易失性存储器中。
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公开(公告)号：CN111273858B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201911225928.9
申请日：2019-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种开放通道固态驱动器，包括：闪存，包括第一块；以及控制器，控制闪存。该控制器从主机接收写数据和第一块的物理地址，并尝试将写数据写入第一块。当在写入尝试期间发生断电时，所述控制器产生写数据中未写入第一块中的第一数据。所述写数据包括第一数据和已经写入第一块中的第二数据。所述控制器确定将第一数据连续写入第一块中是可能的还是不可能的。如果连续写入是可能的，则所述控制器将数据连续地写入第一块。如果连续写入是不可能的，则所述主机或所述控制器将第一数据和第二数据写入闪存的第二块。
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公开(公告)号：CN111679784B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202010081227.9
申请日：2020-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种存储装置和用于操作存储装置的方法。存储装置包括处理电路，所述处理电路被配置为：在非易失性存储器上写入多流数据；生成所述多流数据的奇偶校验数据和/或所述奇偶校验数据所依据的中间奇偶校验数据；将所述奇偶校验数据和/或所述中间奇偶校验数据存储在第一存储器中；以及在所述第一存储器与第二存储器之间执行数据交换，其中，所述第一存储器中的多个槽位的槽位数量取决于所述非易失性存储器的程序缓冲的执行单元的数量。
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公开(公告)号：CN118152002A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311478563.7
申请日：2023-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种计算存储设备的操作方法，包括：按照来自第一主机的指令来设置第一计算命名空间，第一计算命名空间包括第一队列和第一加速器并且具有第一值作为其第一ID；按照来自第二主机的指令来设置第二计算命名空间，第二计算命名空间包括第二队列和第二加速器并且具有第二值作为其第一ID；在第一计算命名空间中从第一主机加载第一程序；在第二计算命名空间中从第二主机加载第二程序；按照用以激活第一程序的指令，基于第一程序的ID将第一计算命名空间的第二ID设置为第三值；以及按照用以激活第二程序的指令，基于第二程序的ID将第二计算命名空间的第二ID设置为第四值。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN118298877A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311756587.4
申请日：2023-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李钟沅
Abstract: 提供了计算存储装置和用于操作计算存储装置的方法。所述用于操作装置的方法包括：由存储控制器从第一主机装置接收第一计算命名空间设置指令；由存储控制器从第二主机装置接收第二计算命名空间设置指令；由存储控制器从第一主机装置接收第一程序；由存储控制器从第二主机装置接收第二程序，由存储控制器接收融合执行命令；由第一加速器处理第一计算；由存储控制器将通过处理第一计算获得的第一计算结果存储在缓冲器存储器中；由存储控制器将存储在缓冲器存储器中的数据提供给与第一加速器不同的第二加速器；以及由第二加速器对从缓冲器存储器提供的数据处理第二计算。
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公开(公告)号：CN111722793B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201911424622.6
申请日：2019-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种开放通道存储设备被配置为由包括坏块管理器的主机来控制，所述开放通道存储设备包括缓冲存储器和非易失性存储器设备。开放通道存储设备的操作方法包括：在主机的控制下执行正常操作；在执行正常操作的同时，检测紧接着与包括在非易失性存储器设备中的多个存储器块中的第一数据块相关联的编程失败之后的突然断电；响应于检测到的突然断电，将存储在缓冲存储器中的多个用户数据转储到多个存储器块中的转储块；检测通电；以及响应于检测到的通电，对存储在转储块中的多个用户数据执行数据恢复操作。
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公开(公告)号：CN111722793A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201911424622.6
申请日：2019-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种开放通道存储设备被配置为由包括坏块管理器的主机来控制，所述开放通道存储设备包括缓冲存储器和非易失性存储器设备。开放通道存储设备的操作方法包括：在主机的控制下执行正常操作；在执行正常操作的同时，检测紧接着与包括在非易失性存储器设备中的多个存储器块中的第一数据块相关联的编程失败之后的突然断电；响应于检测到的突然断电，将存储在缓冲存储器中的多个用户数据转储到多个存储器块中的转储块；检测通电；以及响应于检测到的通电，对存储在转储块中的多个用户数据执行数据恢复操作。
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公开(公告)号：CN111679784A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010081227.9
申请日：2020-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种存储装置和用于操作存储装置的方法。存储装置包括处理电路，所述处理电路被配置为：在非易失性存储器上写入多流数据；生成所述多流数据的奇偶校验数据和/或所述奇偶校验数据所依据的中间奇偶校验数据；将所述奇偶校验数据和/或所述中间奇偶校验数据存储在第一存储器中；以及在所述第一存储器与第二存储器之间执行数据交换，其中，所述第一存储器中的多个槽位的槽位数量取决于所述非易失性存储器的程序缓冲的执行单元的数量。
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