公开(公告)号：CN117856803A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311289976.0

申请日：2023-10-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李重根 ,  郑大喆 ,  裵廷烈 ,  李钟洙 ,  刘相珉

IPC: H04B1/04

Abstract: 一种射频(RF)芯片包括：混频器，被配置为将本地振荡信号与基带信号混合以输出RF信号；放大级，被配置为通过响应于第一控制信号而操作的多个单位放大器来放大RF信号；以及补偿电容器组，被提供在混频器和放大级之间。补偿电容器组被配置为基于第二控制信号来调整补偿电容器组的电容，第二控制信号与第一控制信号互补。

公开(公告)号：CN118017945A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202310847401.X

申请日：2023-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李重根 ,  裵廷烈 ,  李钟洙 ,  刘相珉

IPC: H03F1/32 ,  H03F3/45 ,  H03F3/68 ,  H04B1/04

Abstract: 公开了放大器、多级放大器和无线通信装置。所述放大器包括：第一晶体管和第二晶体管，差分输入信号分别被施加到第一晶体管和第二晶体管的栅极端子；第三晶体管，具有连接到第一晶体管的第一端、接收第一偏置信号的栅极端子、和输出差分输出信号对的第一差分输出信号的第二端；第四晶体管，具有连接到第二晶体管的第一端、接收第二偏置信号的栅极端子、并且具有输出第二差分输出信号的第二端；以及电容器对，结合到第三晶体管和第四晶体管，并且具有相对于彼此的交叉结合结构。