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公开(公告)号：CN112447758A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010869840.7
申请日：2020-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本发明涉及一种集成电路器件和制造其的方法。该集成电路器件包括：沟道层，在穿透导电层和绝缘层的沟道孔中；电荷捕获图案，在导电层与沟道层之间在沟道孔内部；以及虚设电荷捕获图案，在绝缘层与沟道层之间在沟道孔内部。为了制造该集成电路器件，形成穿透绝缘层和模制层的沟道孔。形成连接到沟道孔的模制凹口。在模制凹口中形成初始电介质图案。氧化初始电介质图案以形成第一阻挡电介质图案。在沟道孔中形成电荷捕获层。去除模制层以形成导电空间。去除电荷捕获层的一部分以形成电荷捕获图案和虚设电荷捕获图案。
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